[發(fā)明專利]含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510505836.1
• 申請日: 2015-08-17
• 公開（公告）號: CN105161637A
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳亞文;付東
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點發(fā)光二極管包括依次層疊設(shè)置的襯底、陽極層、摻雜型空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，其中，所述摻雜型空穴注入層由P摻雜的Poly-TPD制成，且所述P摻雜的Poly-TPD中的摻雜劑為F4-TCNQ。

2.如權(quán)利要求1所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，以所述P摻雜的Poly-TPD的總質(zhì)量為100％計，所述摻雜劑的質(zhì)量百分含量為0.1-5％。

3.如權(quán)利要求1所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜型空穴注入層的厚度為20-100nm。

4.如權(quán)利要求1-3任一所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，以所述P摻雜的Poly-TPD的總質(zhì)量為100％計，所述摻雜劑的質(zhì)量百分含量為0.5-1％。

5.如權(quán)利要求1-3任一所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜型空穴注入層的厚度為30-50nm。

6.如權(quán)利要求1-3任一所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底為硬質(zhì)襯底或柔性襯底中的一種。

7.如權(quán)利要求1-3任一所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點發(fā)光層的材料為Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、或Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體及其核殼結(jié)構(gòu)中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1-3任一所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層為ZnO、TiO₂、AlZnO、ZnSnO、InSnO中的至少一種。

9.一種如權(quán)利要求1-8任一所述含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供一襯底，在所述襯底上制備電極層；

配置F4-TCNQ摻雜的Poly-TPD溶液，在所述電極層上制備摻雜型空穴注入層；

在所述摻雜型空穴注入層上依次制備空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層。

10.如權(quán)利要求9所述的含有摻雜型空穴注入層的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述電極層上制備摻雜型空穴注入層的方法為：將所述F4-TCNQ摻雜的Poly-TPD溶液在所述電極層上依次進行涂膜、熱處理，制備摻雜型空穴注入層，其中，所述熱處理的溫度為100-140℃，時間為20-40min。