[發(fā)明專利]阻值可變的參考單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510502479.3
• 申請(qǐng)日: 2015-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN105185410B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃雪青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明提出了一種阻值可變的參考單元，通過(guò)第一控制開關(guān)和第二控制開關(guān)的切換，可以使整個(gè)參考單元的電阻阻值改變，從而可以在測(cè)試模式下用高阻值的參考單元篩選出比較可靠的電熔絲；而在用戶模式下使用低阻值的參考單元增加對(duì)電熔絲電阻變化的容忍度，參考單元可以根據(jù)需要改變阻值，滿足工藝不同場(chǎng)合的需要。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種阻值可變的參考單元。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的eFuse(電熔絲)產(chǎn)品在讀取的時(shí)候會(huì)使用未形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物的多晶硅(unsilicide ploy)作為比較電阻，形成一個(gè)參考單元(reference cell)。每一個(gè)電熔絲對(duì)應(yīng)一參考單元和一個(gè)差分電路。差分電路比較通過(guò)電熔絲和參考單元電阻的大小從而現(xiàn)實(shí)“0”和“1”狀態(tài)的區(qū)分。

電熔絲在讀取的時(shí)候，通過(guò)一個(gè)差分電路或者比較放大器，比較電熔絲和參考單元的電阻大小，從而判斷電熔絲的狀態(tài)是“0”還是“1”。目前的產(chǎn)品中，全部采用一個(gè)固定的電阻作為參考單元，其阻值固定不變。在電熔絲熔斷和隨后的任意讀取過(guò)程中，全部是采用一個(gè)相同阻值的固定電阻作為判斷電熔絲狀態(tài)“0”還是“1”的依據(jù)。

在實(shí)際過(guò)程中，導(dǎo)致電熔絲可靠性不好的原因有：一、電熔絲燒錄的程度不足(under programming)；二、電熔絲過(guò)燒錄(over programming)。這兩種情況都會(huì)導(dǎo)致電熔絲燒錄完后的電阻比較低，大概為幾千歐姆。而且隨著電熔絲不斷的使用，電熔絲的電阻會(huì)變得越來(lái)越低。所以通常在使用過(guò)程中會(huì)選用電阻阻值比較低的參考單元增加對(duì)電熔絲電阻變化的容忍度。

同時(shí)，未經(jīng)過(guò)燒錄(programming)的電熔絲燒阻值較小，為了能夠在測(cè)試時(shí)選擇出性能可靠的電熔絲，通常希望使用電阻阻值較高的參考單元進(jìn)行篩選，以提高對(duì)工藝的容忍度。

然而，正如上文所述，現(xiàn)有技術(shù)中的參考單元阻值均為固定阻值，并不能改變，因此，急需提出一種阻值可變的參考單元滿足不同的工藝需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種阻值可變的參考單元，能夠根據(jù)需要改變其阻值，滿足工藝不同場(chǎng)合的需要。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種阻值可變的參考單元，包括：控制電路、第一電阻矩陣及第二電阻矩陣，其中，所述控制電路包括多個(gè)第一控制開關(guān)和第二控制開關(guān)，所述第一電阻矩陣及第二電阻矩陣中每一行的電阻串聯(lián)，再與相鄰行并聯(lián)，所述第一電阻矩陣為方塊矩陣，第一電阻矩陣每一行的電阻均通過(guò)第一控制開關(guān)與第二電阻矩陣每一行的電阻串聯(lián)后連接至差分電路，第一電阻矩陣每一行的電阻還通過(guò)第二控制開關(guān)直接連接至差分電路，所述第一控制開關(guān)和第二控制開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)為互斥狀態(tài)。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述控制電路還包括第一控制支路、第二控制支路及多個(gè)反相器，所述反相器設(shè)于控制電路上，所述第一控制支路與所述第一控制開關(guān)相連，所述第二控制支路與第二控制開關(guān)相連，所述第一控制支路比第二控制支路多接一個(gè)反相器。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第一控制開關(guān)和第二控制開關(guān)均為MOS管。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述控制電路還包括一焊墊，用于施加控制信號(hào)。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第一電阻矩陣為N*N型矩陣，其中N為正整數(shù)，其范圍為3～10。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第二電阻矩陣為N*M型矩陣，其中M為正整數(shù)。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第一電阻矩陣內(nèi)的電阻阻值均相等。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第二電阻矩陣內(nèi)的電阻阻值均相等。

進(jìn)一步的，在所述的阻值可變的參考單元中，所述第一電阻矩陣內(nèi)的電阻阻值與所述第二電阻矩陣內(nèi)的電阻阻值相等。