[發明專利]基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片

有效

• 申請號: 201510493338.X
• 申請日: 2015-08-12
• 公開（公告）號: CN105015200B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 劉春秀;劉昶;蔡浩原
• 申請（專利權）人: 中國科學院電子學研究所
• 主分類號: B41K1/38
• 分類號: B41K1/38;G01N33/68
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，包括：下層基板和上層蓋板；形成于下層基板上表面、上層蓋板下表面或下層基板與上層蓋板之間的加樣槽、反應通道、反應池、反應細通道、反應排氣孔、標定槽、標定通道、標定池、標定細通道和標定排氣孔，其中，加樣槽通過被親水處理的反應通道連通于反應池，反應池通過反應細通道連通于反應排氣孔，標定槽通過被親水處理的標定通道連通于標定池，標定池通過標定細通道連通于標定排氣孔；以及形成于上層蓋板且分別與加樣槽、反應排氣孔、標定槽及標定排氣孔位置對應的開口；其特征在于：

所述反應池的頂蓋內側預固定抗體-磁粒子，所述反應池的底側通過納米印章壓印或者微納點樣預固定配對的特異識別單抗或者多抗；

所述反應池與反應排氣孔之間的反應細通道的寬度窄于反應池與加樣槽之間的反應通道的寬度，是其寬度的1/2或者更窄；

標定池與標定排氣孔之間標定細通道的寬度窄于標定池與標定槽之間標定通道的寬度，是其寬度的1/2或者更窄。

2.根據權利要求1所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述反應池的底側通過納米印章壓印或者微納點樣預固定配對的特異識別單抗或者多抗，納米印章是通過MEMS工藝制備出與反應池尺寸匹配的PDMS印章。

3.根據權利要求2所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述納米印章制備為A印章、B印章或者包含A、B兩部分的全印章；采用A印章、B印章的組合，能夠實現在反應池底側固定兩種不同物質的抗體，從而實現雙參數檢測。

4.根據權利要求2所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述納米印章在單抗溶液中浸泡10～30秒，然后取出壓印在反應池底側，形成單抗的圓形陣列的修飾層。

5.根據權利要求4所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述修飾層能夠減少試劑干燥過程中的邊緣效應，提高均一性，更利于微量物質的光學檢測。

6.根據權利要求4所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述修飾層能夠進行洗滌和封閉步驟，具體是采用0.5g/L Tween-20的PBS緩沖液洗滌一次，用10g/L BSA and 100g/L sucrose 的PBS封閉劑進行1小時封閉處理，然后去除緩沖液，4℃低溫密封干燥保存。

7.根據權利要求2所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述納米印章底部制備出凸出的圓柱形微米陣列，微米陣列的凸出圓柱陣列的圓柱截面半徑尺寸范圍在50～500微米。

8.根據權利要求7所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述納米印章印制形成的陣列為直徑50～500微米的抗體液滴圓點排列成的陣列；陣列單元的數量在4～100之間。

9.根據權利要求1所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述反應池是圓形或者多邊形，寬度尺寸范圍在1～5毫米之間，深度范圍在50～500微米之間。

10.根據權利要求1所述的基于納米印章固定單抗修飾層的光學微流控芯片，其特征在于，所述磁粒子為200～5000nm的磁微納粒子。