[發明專利]解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法有效
| 申請號： | 201510490502.1 | 申請日： | 2015-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN105140230B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 徐濤;曹子貴;王卉;陳宏 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11526 | 分類號： | H01L27/11526;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 解決 分柵快 閃存 編程 失效 制造 方法 | ||
1.一種解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，包括步驟：
提供基片，基片上形成有邏輯區和存儲區，存儲區上形成有存儲多晶硅層，邏輯區上形成有邏輯多晶硅層，存儲區與邏輯區上均形成有高壓柵介質層，高壓柵介質層位于存儲多晶硅層上，邏輯多晶硅層位于高壓柵介質層上，通過光刻與蝕刻在邏輯區上以圖案化的光阻為掩膜形成邏輯柵極；
使用第一次灰化工藝和第一次光阻去除工藝，去除圖案化的光阻，所述第一次光阻去除工藝不使用氫氟酸；
使用第二次灰化工藝和第二次光阻去除工藝，去除殘留的圖案化的光阻，所述第二次光阻去除工藝不使用氫氟酸；
直接刻蝕高壓柵介質層和存儲多晶硅層，形成字線。
2.如權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，所述第一次灰化工藝和第二灰化工藝使用的氣體均是氧氣。
3.如權利要求2所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，氧氣流量范圍是1000sccm～5000sccm。
4.如權利要求2所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，所述第一次灰化工藝和第二灰化工藝反應溫度范圍是150攝氏度～350攝氏度。
5.如權利要求2所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，所述第一次灰化工藝和第二灰化工藝反應時間范圍是20s～100s。
6.如權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，所述第一次光阻去除工藝和第二次光阻去除工藝均為濕法刻蝕工藝。
7.如權利要求6所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的制造方法，其特征在于，所述第一次光阻去除工藝和第二次光阻去除工藝的反應時間范圍是20s～120s。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510490502.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種錄像鎖定的方法和裝置
- 下一篇：集成房屋地板結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
