[發(fā)明專利]包含嵌段共聚物的自組裝結(jié)構(gòu)和膜以及通過旋涂法制備它們的方法(VIa)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510488779.0 | 申請日: | 2015-05-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105131316B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·A-H·H·阿穆爾;S·石 | 申請(專利權(quán))人: | 帕爾公司 |
| 主分類號(hào): | C08J5/18 | 分類號(hào): | C08J5/18;C08J9/00;C08G61/12;C08L65/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 鄒智弘 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 嵌段共聚物 自組裝結(jié)構(gòu) 式( I ) 制備 旋涂 薄膜 自組裝嵌段共聚物 退火 二嵌段共聚物 聚合物溶液 納米多孔膜 多孔膜 自組裝 溶劑 應(yīng)用 | ||
公開了由自組裝嵌段共聚物,例如式(I)的二嵌段共聚物形成的自組裝結(jié)構(gòu):其中,R1?R4、n和m如本文中所述,其應(yīng)用于制備納米多孔膜。在一個(gè)實(shí)施方式中,嵌段共聚物自組裝成圓柱體形態(tài)。還公開了一種制備這類膜的方法,包括旋涂含有嵌段共聚物的聚合物溶液,以獲得薄膜,隨后使薄膜溶劑退火。進(jìn)一步公開了一種由自組裝結(jié)構(gòu)制備多孔膜的方法。
發(fā)明背景
膜,尤其是納米多孔膜,已知應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括生物流體過濾、除去微量污染物、水質(zhì)軟化、廢水處理、染料截留、電子工業(yè)中的超純水制備,以及食品、果汁或牛奶濃縮。人們已經(jīng)提出用于制備納米多孔膜的方法,涉及自組裝成納米結(jié)構(gòu)的嵌段共聚物。盡管自組裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢在于它們產(chǎn)生具有均勻的孔徑和孔徑分布的膜,但是所提出的嵌段共聚物和方法仍存在挑戰(zhàn)或困難。例如,在一些這些方法中,首先由嵌段共聚物生產(chǎn)出薄膜,隨后使用苛性化學(xué)品例如強(qiáng)酸或強(qiáng)堿移除嵌段共聚物的嵌段之一。
前述表明,對(duì)于由能夠自組裝成納米結(jié)構(gòu)的嵌段共聚物制成的膜以及對(duì)于由這些嵌段共聚物生產(chǎn)納米多孔膜的方法,仍然存在未滿足的需求,所述嵌段共聚物在形成納米結(jié)構(gòu)之后不需要移除嵌段之一。
發(fā)明簡述
本發(fā)明提供了一種包含嵌段共聚物,例如式(I)的二嵌段共聚物的自組裝結(jié)構(gòu)和多孔膜:
其中:
R1是式-(CHR-CH2-O)p-R’的聚(氧化烯)基團(tuán),其中p=2-6,R是H或甲基,以及R’是H、C1-C6烷基或者C3-C11環(huán)烷基;
R2是C1-C22烷基或C3-C11環(huán)烷基,各自任選地被選自鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基取代;
R3和R4之一是C6-C14芳基或是雜芳基,任選地被選自羥基、鹵素、氨基和硝基的取代基取代,以及R3和R4的另一個(gè)是C1-C22烷氧基,任選地被選自羧基、氨基、巰基、炔基、烯基、鹵素、疊氮基和雜環(huán)基的取代基取代;
n和m獨(dú)立地是約10至約2000。
本發(fā)明還提供了一種制備上述自組裝結(jié)構(gòu)的方法,包括:
(i)將嵌段共聚物溶于溶劑體系中,以獲得聚合物溶液;
(ii)將聚合物溶液旋涂到基材上;
(iii)將在(ii)中獲得的涂層退火,以獲得自組裝結(jié)構(gòu);以及任選地,
(iv)洗滌在(iii)中獲得的自組裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還提供了由所述自組裝結(jié)構(gòu)制備的膜。
本發(fā)明利用了具有熱力學(xué)不相容性嵌段的嵌段共聚物進(jìn)行相分離并且自組裝成納米結(jié)構(gòu)的能力,由此導(dǎo)致具有均勻多孔性的納米多孔膜的形成。
附圖說明
圖1描述了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的均聚物1(二嵌段共聚物的前體)和二嵌段共聚物2的多角度激光散射(MALS)凝膠滲透色譜(GPC)疊加軌跡。
圖2描述了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的自組裝結(jié)構(gòu)的原子力顯微鏡(AFM)高度圖像。
圖3描述了在圖2中描述的自組裝結(jié)構(gòu)的AFM相圖。
圖4描述了從圖3提取的譜線輪廓(profile)。
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