[發明專利]一種基于LTCC的S波段功分濾波器在審
| 申請號: | 201510481029.0 | 申請日: | 2015-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN105070988A | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 周衍芳;許心影;戴永勝;喬冬春;李博文;陳燁;劉毅 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | H01P1/203 | 分類號: | H01P1/203 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 朱顯國 |
| 地址: | 210094 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 ltcc 波段 濾波器 | ||
1.一種基于LTCC的S波段功分濾波器,其特征在于,包括S波段等分功分器(P1)、第一微波濾波器(P2)和第二微波濾波器(P2);
S波段等分功分器(P1)包括輸入端口(Port_In)、輸入引線(Lin1)、第一接地端(GND1)、第二接地端(GND2)、第一屏蔽層(Sd1)、第二屏蔽層(Sd2)、第一1/4波長傳輸線(L1)、第二1/4波長傳輸線(L2)、第一輸出引線(Lout1)、第二輸出引線(Lout2)以及電阻(R100);其中,輸入引線(Lin)、第一輸出引線(Lout1)、第二輸出引線(Lout2)互相平行,且第一輸出引線(Lout1)與第二輸出引線(Lout2)關于輸入引線(Lin1)的中心軸線對稱,第一屏蔽層(Sd1)與第二屏蔽層(Sd2)關于輸入引線(Lin1)所在平面對稱;輸入引線(Lin1)、第一1/4波長傳輸線(L1)、第二1/4波長傳輸線(L2)、第一輸出引線(Lout1)、第二輸出引線(Lout2)以及電阻(R100)在同一個平面上,第一屏蔽層(Sd1)和第二屏蔽層(Sd2)分別位于該平面的上方和下方;第一屏蔽層(Sd1)和第二屏蔽層(Sd2)在輸入引線(Lin1)垂直的方向上同時與第一接地端(GND1)和第二接地端(GND2)相連,輸入引線(Lin1)的一端連接輸入端口(Port_In),另一端分兩路,分別連接第一1/4波長傳輸線(L1)和第二1/4波長傳輸線(L2),第一1/4波長傳輸線(L1)和第二1/4波長傳輸線(L2)的另一端在分別連接第一輸出引線(Lout1)和第二輸出引線(Lout2)的同時跨接電阻(R100)。
2.如權利要求1所述S波段功分濾波器,其特征在于,第一微波濾波器(P1)與第二微波濾波器(P2)的結構相同,均包括輸入引線電感(Lin2)、第一級并聯諧振單元、第二級并聯諧振單元、第三級并聯諧振單元、第四級并聯諧振單元、第五級并聯諧振單元、第六級并聯諧振單元、輸出引線電感(Lout3)、輸出端口(Port_Out)、第一U形耦合單元(U1)、第二U形耦合單元(U2)、Z形級間耦合單元(ZL)、第三屏蔽層(Sd3)、第四屏蔽層(Sd4)、第三接地端(GND3)、第四接地端(GND4);其中,每級諧振單元由平行放置的兩層傳輸線構成,輸入引線電感(Lin2)與每級并聯諧振單元中的第一層傳輸線以及輸出引線電感(Lout3)在同一平面上;每級并聯諧振單元中的第一層傳輸線的一端均與第三接地端(GND3)相連,另一端均開路;每級并聯諧振單元中的第二層傳輸線的一端均與第四接地端(GND4)相連,另一端均開路;輸入引線電感(Lin2)的一端與第一級并聯諧振單元中第一層傳輸線的中部相連,另一端與第一輸出引線(Lout1)或者與第二輸出引線(Lout2)連接;輸出引線電感(Lout3)的一端與第六級并聯諧振單元中第一層傳輸線的中部相連,另一端與輸出端口(Port_Out)相連;第一U形耦合單元(U1)和第二U形耦合單元(U2)在同一平面上,且位于六個諧振單元的上方、第四屏蔽層(Sd4)的下方;Z形耦合單元(ZL)在位于六個諧振單元的下方、第三屏蔽層(Sd3)的上方,且Z形耦合單元(ZL)的兩端分別與第三接地端(GND3)和第四接地端(GND4)相連。
3.如權利要求2所述S波段功分濾波器,其特征在于,S波段等分功分器(P1)中的輸入端口(Port_In)、輸入引線(Lin1)、第一接地端(GND1)、第二接地端(GND2)、第一屏蔽層(Sd1)、第二屏蔽層(Sd2)、第一1/4波長傳輸線(L1)、第二1/4波長傳輸線(L2)、第一輸出引線(Lout1)、第二輸出引線(Lout2)、電阻(R100),以及第一微波濾波器(P2)和第二微波濾波器(P2)中的輸入引線電感(Lin2)、第一級并聯諧振單元、第二級并聯諧振單元、第三級并聯諧振單元、第四級并聯諧振單元、第五級并聯諧振單元、第六級并聯諧振單元、輸出引線電感(Lout3)、輸出端口(Port_Out)、第一U形耦合單元(U1)、第二U形耦合單元(U2)、Z形級間耦合單元(ZL)、第三屏蔽層(Sd3)、第四屏蔽層(Sd4)、第三接地端(GND3)、第四接地端(GND4)均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現。
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