[發明專利]一種電容器用摻混納米鈦酸鋇負載納米二氧化鈰的聚酰亞胺高介電復合薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201510478890.1 | 申請日: | 2015-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN105061790A | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 唐彬;唐發根 | 申請(專利權)人: | 銅陵市勝達電子科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C08J5/18 | 分類號: | C08J5/18;C08L79/08;C08G73/10;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/10;C08K3/24;C08K3/22 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
| 地址: | 244000 安徽省銅陵*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電容 器用 納米 鈦酸鋇 負載 氧化 聚酰亞胺 高介電 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種電容器用摻混納米鈦酸鋇負載納米二氧化鈰的聚酰亞胺高介電復合薄膜,其特征在于,該復合薄膜由以下重量份的原料制備得到:均苯四甲酸二酐10-12、4,4,-二氨基二苯基醚8-10、納米二氧化鈰0.01-0.02、N-乙烯基吡咯烷酮3-5、N,N-二甲基乙酰胺20-25、納米鈦酸鋇2-3、無水乙醇3-5、硅烷偶聯劑0.1-0.2、400-500目聚噻吩微粉0.1-0.2、甲基丙烯酸羥乙酯0.4-0.5、聚乙烯醇0.1-0.2、水4-5。
2.如權利要求1所述的一種電容器用摻混納米鈦酸鋇負載納米二氧化鈰的聚酰亞胺高介電復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述的制備方法為:
(1)表面改性納米鈦酸鋇負載納米二氧化鈰溶液的制備:先將納米鈦酸鋇經酸處理后水洗至中性烘干,再將聚乙烯醇溶解于水配制成溶液,將前面酸處理后的干燥納米鈦酸鋇、納米二氧化鈰投入溶液中,超聲分散20-30min后將混合漿料加熱至60-80℃,恒溫研磨處理30-40min,隨后將所得漿料烘干,完全除去水分,所得粉體與硅烷偶聯劑混合攪拌均勻,得表面改性納米鈦酸鋇負載納米二氧化鈰復合粉體,最后將所得復合粉體與聚噻吩微粉一起投入無水乙醇中,超聲分散20-30min后所得物料備用;
(2)將4,4,-二氨基二苯基醚投入N,N-二甲基乙酰胺中,攪拌均勻后,分5步加入等量的均苯四甲酸二酐,添加完畢后反應10-12h,得聚酰胺酸膠液,隨后將步驟(1)制備得到的復合粉體無水乙醇溶液投入膠液中,攪拌混合8-10h后加入其它剩余物料,繼續攪拌使物料混合均勻,所得復合膠液備用;
(3)將步驟(2)制備的復合膠液涂布于玻璃板上放入鼓風烘箱中進行亞胺化處理,處理條件為:處理溫度100-200℃,處理時間:1-2h,即得所述復合薄膜。
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