[發明專利]橫向高壓器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201510477666.0
• 申請日: 2015-08-07
• 公開（公告）號: CN105070754A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: 喬明;代剛;王裕如;周鋅;何逸濤;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種橫向高壓器件，其特征在于：其元胞結構包括第一導電類型半導體襯底(1)、設置在第一導電類型半導體襯底(1)內部右側的第二導電類型半導體第一漂移區(21)，第二導電類型半導體第一漂移區的上表面與第一導電類型半導體襯底(1)的上表面平齊；設置在第一導電類型半導體襯底(1)內部左側的第一導電類型半導體第一體區，第一導電類型半導體第一體區的上表面與第一導電類型半導體襯底上表面平齊且與所述第二導電類型半導體第一漂移區(21)相連接；第二導電類型半導體第一漂移區(21)內部包括1個第一導電類型半導體第一降場層(41)；第一導電類型半導體襯底外部上方自下而上依次層疊設置多個第二導電類型半導體子漂移區(22、23…2i)，每個第二導電類型半導體子漂移區包括：1個位于所述第二導電類型半導體子漂移區內部左側的第一導電類型半導體體區(32、33…3i)，1個設置于所述第一導電類型半導體體區右側的第一導電類型半導體降場層(42、43…4i)；

最上面的第二導電類型半導體第i漂移區(2i)上表面設有：氧化層(5)、金屬前介質(6)、柵氧化層(7)、多晶硅柵電極(8)、第二種導電類型半導體漏區(9)、第二導電類型半導體源區(10)、第一導電類型半導體體接觸區(11)、源極金屬(12)、漏極金屬(13)、設置于所述第i漂移區內部的第一導電類型半導體第i降場層上方的第二導電類型半導體第i重摻雜層；

所述場氧化層(5)嵌入最上面的第二導電類型半導體第i重摻雜層的上方，第二導電類型半導體漏區(9)的上表面與所述第二導電類型半導體第i漂移區的上表面平齊，所述場氧化層(5)和所述第二導電類型半導體漏區(9)連接，所述第二導電類型半導體源區(10)和第一導電類型半導體體接觸區(11)設置在第一導電類型半導體第i體區(3i)中，且第二導電類型半導體源區(10)和第一導電類型半導體體接觸區(11)的上表面與第一導電類型半導體第i體區(3i)的上表面平齊，第二導電類型半導體源區(10)和第一導電類型半導體體接觸區(11)連接，所述柵氧化層(7)覆蓋第二導電類型半導體源區(10)的部分上表面并延伸至第二導電類型半導體第i漂移區(2i)的上表面后與場氧化層(5)連接，所述多晶硅柵電極(8)覆蓋柵氧化層(7)的上表面和部分氧化層(5)的上表面，所述金屬前介質(6)覆蓋部分第二導電類型半導體源區(10)的上表面、多晶硅柵電極(8)的上表面、氧化層(5)的上表面和部分第二導電類型半導體漏區(9)的上表面，所述源極金屬(12)覆蓋第一導電類型半導體體接觸區(11)的上表面、第二導電類型半導體源區(10)的部分上表面并與金屬前介質(6)連接，在金屬前介質(6)的上表面延伸形成場板，所述漏極金屬(13)覆蓋第二導電類型半導體漏區(9)的部分上表面并與金屬前介質(6)連接，在金屬前介質(6)的上表面延伸形成場板。

2.根據權利要求1所述的橫向高壓器件，其特征在于：每個第二導電類型半導體子漂移區內部的第一導電類型半導體降場層上方均設有一個第二導電類型半導體重摻雜層。

3.根據權利要求1或2所述的橫向高壓器件，其特征在于：還包括埋氧層(3)、第二導電類型半導體襯底(2)，所述埋氧層(3)設置在第一導電類型半導體襯底(1)的下方，所述第二導電類型半導體襯底(2)設置在埋氧層(3)的下方。