[發明專利]一種多硅晶片手機窗口切割方法在審
| 申請號： | 201510469897.7 | 申請日： | 2015-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN105128160A | 公開（公告）日： | 2015-12-09 |
| 發明（設計）人： | 雷春生;潘相成 | 申請（專利權）人： | 常州市好利萊光電科技有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/04 | 分類號： | B28D5/04 |
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| 地址： | 213164 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶片 手機 窗口 切割 方法 | ||
技術領域
本發明具體涉及一種多硅晶片手機窗口切割方法。
背景技術
最早的多線切割設備主要由鋼線和砂漿組成，在切割過程中，將砂漿噴在鋼線與加工晶體之間，現在這種多線切割設備主要應用在單晶硅以及多晶硅晶片的切割過程中，但是在切割過程中，若晶片的翹曲度較大，在后續加工過程中便很難改善，不僅會給后續的工作造成一定的困難，而且還會是晶片報廢。
因此，需要建立翹曲度與影響因素的對應關系，有了這個關系，通過觀察翹曲度的分布，即可判斷出影響翹曲度的因素，很快的對工藝進行調整。
發明內容
本發明提供了一種超薄、質量輕、低耗電的多硅晶片手機窗口切割方法。
為了達成上述目的，采用的具體技術方案是：
（1）將多硅晶片手機窗口在超聲波中清洗30min，再將其烘干；
（2）然后用石蠟將多硅晶片手機窗口粘在不銹鋼底座上，底座安裝在試驗機下摩擦副盤上，調節多硅晶片手機窗口與止推圈的的距離為2-4mm；
（3）然后向其中加入攪拌均勻后的線切割線，加載并啟動運行。
所述的線切割液是由1.78g的聚乙二醇、1.3g的二乙醇胺、10-15ppm的十二烷基苯磺酸鈉、0.56g的有機硅氧烷、1.2g的偏磷酸鈉、15g的砂輪磨粒一同加入到100mL的去離子水中，然后靜置20-40min得到的。
所述的止退圈在主軸的帶動下相對于鏡片旋轉，線切割液浸沒多硅晶片手機窗口存在摩擦副之間構成三體摩擦磨損環境。
所述的主軸轉速為80r/min，摩擦副小止推圈摩擦副。
所述的砂輪磨粒為800＃。
本發明的應用方法為：將多硅晶片手機窗口在超聲波中清洗30min，再將其烘干；然后用石蠟將多硅晶片手機窗口粘在不銹鋼底座上，底座安裝在試驗機下摩擦副盤上，調節多硅晶片手機窗口與止推圈的的距離為2-4mm；然后向其中加入攪拌均勻后的線切割線，加載并啟動運行。
具體實施方案
一種多硅晶片手機窗口切割方法為：
（1）將多硅晶片手機窗口在超聲波中清洗30min，再將其烘干；
（2）然后用石蠟將多硅晶片手機窗口粘在不銹鋼底座上，底座安裝在試驗機下摩擦副盤上，調節多硅晶片手機窗口與止推圈的的距離為2-4mm；
（3）然后向其中加入攪拌均勻后的線切割線，加載并啟動運行。
所述的線切割液是由1.78g的聚乙二醇、1.3g的二乙醇胺、10-15ppm的十二烷基苯磺酸鈉、0.56g的有機硅氧烷、1.2g的偏磷酸鈉、15g的砂輪磨粒一同加入到100mL的去離子水中，然后靜置20-40min得到的。
所述的止退圈在主軸的帶動下相對于鏡片旋轉，線切割液浸沒多硅晶片手機窗口存在摩擦副之間構成三體摩擦磨損環境。
所述的主軸轉速為80r/min，摩擦副小止推圈摩擦副。
所述的砂輪磨粒為800＃。
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