[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201510469712.2
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN105336764B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: U.格拉澤;P.伊爾西格勒;H-J.舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/02
• 分類號: H01L29/02;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;胡莉莉

1.一種半導體器件，包括：

具有相對的第一表面和第二表面的半導體主體；以及

被掩埋在所述半導體主體中的氮化物和碳化物的至少一個，其中所述半導體主體的第二部分在所述第一表面與所述氮化物和所述碳化物的所述至少一個之間，且所述半導體主體的第一部分在第二表面與所述氮化物和所述氮化物的所述至少一個之間，

其中所述氮化物和所述碳化物的所述至少一個的熔點大于900℃，并且

其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個的電導率大于3 x 10⁶ S/m。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是二元或三元化合物。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是A_xB_yR_z，其中A是Sc、Ti、Cr、V、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta之一，其中B是Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Te和Pb之一，其中R是C和N之一，以及其中[x,y,z]是[2,1,1]、[3,1,2]、[4,1,3]之一。

4.如權利要求1所述的半導體器件，還包括掩埋在所述半導體主體中的電布線，所述電布線包括所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個。

5.如權利要求4所述的半導體器件，還包括在所述電布線和所述半導體主體之間的接觸層和電介質的至少一個。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是垂直地布置在所述第一表面處的高摻雜發射極區和漂移區之間的重組結構。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是橫向布置在第一半導體元件的第一有源區域和第二半導體元件的第二有源區域之間的重組結構。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是橫向布置在晶體管單元陣列和結終止區域之間的過渡區域中的重組結構。

9.一種制造半導體的方法，所述方法包括：

在半導體主體的第一部分上形成氮化物和碳化物的至少一個；以及

通過在所述第一部分上和在所述氮化物和所述碳化物的所述至少一個上經由外延生長形成所述半導體主體的第二部分來將所述氮化物和所述碳化物的所述至少一個掩埋在所述半導體主體中，

其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個的電導率大于3 x 10⁶ S/m。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第二部分通過選擇性外延生長或外延橫向過生長來形成。

11.如權利要求9所述的方法，還包括將溝槽從所述第二部分的表面刻蝕到所述半導體主體中一直到所述氮化物和所述碳化物的所述至少一個。

12.如權利要求9所述的方法，其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一個是A_xB_yR_z，其中A是Sc、Ti、Cr、V、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta之一，其中B是Al、Si、P、S、Ga和Ge之一，其中R是C和N之一，以及其中[x,y,z]是[2,1,1]、[3,1,2]、[4,1,3]之一。