[發明專利]電路布置和用于制造電路布置的方法

在審

• 申請號: 201510469688.2
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN105336720A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: A.毛德;R.奧特倫巴;K.希斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/498;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;胡莉莉

技術領域

各種實施例通常涉及電路布置并且涉及用于制造電路布置的方法。

背景技術

集成電路芯片可以被集成在電路布置中。多個集成電路芯片比如可以被布置成形成共發共基放大器（cascode）或半橋。各種分立部件/封裝（例如，晶體管外形封裝TO247-3）可以被安裝在應用板（例如，AC/DC轉換器或DC/DC轉換器）上以形成共發共基放大器類型電路布置。這里爬電距離可以由單獨部件/封裝的幾何形狀和它們之間的距離來確定。

然而，因為爬電距離取決于芯片的表面并且典型地測量為大約1mm，所以芯片嵌入當前可能僅適合于低電壓應用（<200V）。

發明內容

各種實施例可以提供電路布置。該電路布置可以包含：嵌入封裝芯片載體；布置在該嵌入封裝芯片載體之上的第一芯片和第二芯片，該第一芯片和該第二芯片中的每個包含：控制端子、第一受控端子、和第二受控端子，其中該控制端子和該第一受控端子被布置在芯片的第一側上，并且其中該第二受控端子被布置在芯片的第二側上，其中該第二側與該第一側相對；其中該第一芯片被布置在該嵌入封裝芯片載體上，使得它的第一側正面對朝向該嵌入封裝芯片載體；并且其中該第二芯片被布置在該嵌入封裝芯片載體上，使得它的第一側正背對該嵌入封裝芯片載體。

附圖說明

在附圖中，貫穿不同視圖同樣的參考字符通常指的是相同的部分。附圖不必要成比例，而通常將重點放在圖解本發明的原理上。在下面描述中，參考下面附圖來描述本發明的各種實施例，在附圖中：

圖1示出依據各種實施例的芯片的側視圖；

圖2A和2B示出依據各種實施例的電路布置；

圖3示出依據各種實施例的電路布置；

圖4示出依據各種實施例的電路布置。

圖5示出對應于圖2A、圖2B和圖3的電路布置的電路圖。

圖6示出圖解依據各種實施例的用于制造電路布置的方法的流程圖。

具體實施方式

下面詳細的描述涉及附圖，附圖通過圖解示出在其中可以實踐本發明的特定細節和實施例。

詞“示范性的”在本文中被用來表示“用作示例、實例、或圖解”。在本文中被描述為“示范性的”任何實施例或設計不必要被解釋為比其它實施例或設計是優選的或有優勢的。

關于“在側或表面之上”形成的沉積材料而使用的詞“在...之上”可以在本文中被用來表示沉積材料可以“直接在暗示的側或表面之上”形成，例如與暗示的側或表面直接接觸。關于“在側或表面之上”形成的沉積材料而使用的詞“在...之上”可以在本文中被用來表示沉積材料可以“間接在暗示的側或表面之上”形成，其中一個或多個額外層被布置在該暗示的側或表面和沉積材料之間。

圖1示出依據各種實施例的芯片100的側視圖。芯片100可以包含第一側110和第二側112。第二側112可以與第一側110相對。可選控制端子106和第一受控端子104可以被布置在芯片100的第一側110上，并且第二受控端子108可以被布置在芯片100的第二側112上。

在各種實施例中，芯片100可以是功率芯片。在各種實施例中，芯片100可以是選自組的功率芯片，該組由下述構成：功率FET（場效應晶體管，諸如功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）或JFET（結型柵場效應晶體管））；功率雙極晶體管；IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；晶閘管和功率二極管。在各種實施例中，功率芯片可以包含功率FET，該功率FET使用BCD（雙極-CMOS-DMOS）技術或CD（CMOS-DMOS）技術或SOI（絕緣體上硅）技術與額外邏輯和/或傳感器部件集成。

在各種實施例中，負載電流可以經過芯片100從芯片的第一側110到芯片100的第二側112垂直地流動或反之亦然。換句話說，負載電流能夠以垂直于芯片的第一側110和第二側112的方向流動。依據實施例，額外控制和/或感測電流可以經過芯片100垂直和/或橫向地流動。換句話說，控制和/或感測電流能夠在垂直于第一側110或平行于芯片的第一側110流動的控制和/或感測電流中被分割，其中分割可以包含全部平行和全部垂直。

在各種實施例中，控制端子106和第一受控端子104比如可以分別是功率MOSFET芯片的柵極端子和源極端子，并且第二受控端子112可以是功率MOSFET芯片的漏極端子。這樣，MOSFET芯片的端子可以被布置以支持在芯片的第一側110之上的源極端子和芯片的第二側112之上的漏極端子之間經過芯片100的垂直電流流動。