[發明專利]一種玉米高產無公害栽培方法在審
| 申請號: | 201510466914.1 | 申請日: | 2015-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN105103849A | 公開(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發明(設計)人: | 王祖明 | 申請(專利權)人: | 太倉市家欣農場專業合作社 |
| 主分類號: | A01G1/00 | 分類號: | A01G1/00 |
| 代理公司: | 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁紅紅 |
| 地址: | 215400 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 玉米 高產 公害 栽培 方法 | ||
1.一種玉米高產無公害種植方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)科學整地:在前茬收獲后,清除地里的雜草、殘余植株和枯枝敗葉,向田地內施撒毒土、斬碎的秸稈、殺菌除草藥肥和底肥,然后將田地深耕25~30cm,將上述毒土、斬碎的秸稈、殺菌除草藥肥和底肥埋入土中,耙平磨細表層土壤,在耙平后的田地內按東西走向挖制出田壟,相鄰田壟的間距為70~90cm,每個田壟寬40~50cm;
(2)選種及種子處理:選擇高產、抗病、抗旱、出苗率高于90%的緊湊型高植株品種和平展型矮植株品種,將所述兩種種子分別用紫外光照射殺菌,然后置于日光下日曬1~2天;
(3)合理種植:在步驟(1)中挖制好的田壟上種植步驟(3)中處理后的玉米種子,每壟種植兩行,按從南到北依次為平展型矮植株行和緊湊型高植株行的順序種植,每行間距20~30cm,每行株間距20~25cm,每株種植深度為3~5cm,每穴播種2~3粒,全部播種后,按壟噴灑清水使涂層濕潤,然后按壟覆上地膜;
(4)田間管理:播種后5~10天出苗,待全苗并長至1~2個葉片時,放苗;待幼苗長至5~7個葉片時,定苗,每穴留一株健康的壯苗;在植株開花前期,鋤地破土,并進行人工除草,然后每畝追施腐熟農家肥1000~1500kg,磷鉀復合肥50~100kg,在結出玉米果穗后,每畝追施速效氮磷鉀復合肥30~50kg,尿素50~80kg;每次追施后,及時澆透水;在每畝玉米田地吊掛3~5盞殺蟲燈,并在開花前期,每畝噴灑500~1000L10%吡蟲啉可濕性粉劑1500倍液,2.5%敵殺死800倍液,2%蟲螨克乳油800倍液的混合液,進行噴霧防治,同時在每株葉心內放置3~5粒甲拌磷顆粒劑;
(5)適時采收:待玉米授粉后50~60天,將玉米植株砍伐放于田地內,放置1~2周以后,將玉米穗掰下,儲運加工。
2.根據權利要求1所述的玉米高產無公害栽培方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述毒土為1.5kg30%辛硫磷乳劑和30kg田土混拌均勻的混合土,所述毒土的施用量為每畝50~100kg。
3.根據權利要求1所述的玉米高產無公害栽培方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述秸稈為小麥秸稈,所述斬碎后小麥秸稈的長度為2~5cm,所述小麥秸稈的施用量為每畝0.5~1kg。
4.根據權利要求1所述的玉米高產無公害栽培方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述殺菌除草藥肥為腐熟的苦楝皮、瑞香狼毒、五倍子、無患子外種皮、蘑菇渣、秸稈灰、膨潤土鈣石粉和75%甲基托布津的混合物,所述殺菌除草藥肥的施用量為每畝3~5kg。
5.根據權利要求1所述的玉米高產無公害栽培方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述基肥包括腐熟農家肥、尿素和磷酸二氫鉀,所述基肥的施用量為每畝施用腐熟農家肥3000~4000kg,尿素30~50kg,磷酸二氫鉀15~20kg。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太倉市家欣農場專業合作社,未經太倉市家欣農場專業合作社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510466914.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:元素分析儀新型石英裂解管
- 下一篇:一種易脫模車轍實驗模具





