[發明專利]一種高能量利用率的微橋結構電阻陣列在審
| 申請號： | 201510465486.0 | 申請日： | 2015-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN105093356A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 徐君;王治樂;朱瑤;周程灝;孫婷婷 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G01V13/00 | 分類號： | G01V13/00;G01M11/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高能量 利用率 結構 電阻 陣列 | ||
【權利要求書】：
1.一種高能量利用率的微橋結構電阻陣列，包括微橋和襯底兩部分，其特征在于所述微橋包含電阻輻射微單元，所述襯底位于微橋的背面，其形狀為棱臺狀，襯底的表面涂有低吸收漫反射涂層。
2.根據權利要求1所述的高能量利用率的微橋結構電阻陣列，其特征在于所述微橋的主體結構為電阻薄片，微橋兩端是細長的立方體結構，兩細長立方體將微橋與周圍的襯底連接，并懸空于襯底之上。
3.根據權利要求1所述的高能量利用率的微橋結構電阻陣列，其特征在于所述襯底的底(頂)面的多邊形邊數由微橋的形狀決定。
4.根據權利要求1所述的高能量利用率的微橋結構電阻陣列，其特征在于所述襯底的底面多邊形邊數、底邊長度、棱臺高度和棱邊傾角與微橋的尺寸及形狀有關。
5.根據權利要求1所述的高能量利用率的微橋結構電阻陣列，其特征在于所述低吸收率漫反射涂層的低吸收波段要覆蓋紅外仿真系統平行投影透鏡的設計波段。
6.根據權利要求1或5所述的高能量利用率的微橋結構電阻陣列，其特征在于所述低吸收率漫反射涂層可以選擇白漆。
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