[發(fā)明專(zhuān)利]用于半導(dǎo)體器件制造的清潔方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510464458.7
• 申請(qǐng)日: 2015-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105448661A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉明熙;吳松勛;陳昭成;章勛明;周柏瑋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

利用第一清潔混合物執(zhí)行所述半導(dǎo)體襯底的第一清潔，所述第一清潔混合物包括酸和堿中的一種、臭氧、以及水；

在所述第一清潔之后，清洗所述半導(dǎo)體襯底；以及

在清洗之后，利用第二清潔混合物執(zhí)行所述半導(dǎo)體襯底的第二清潔，所述第二清潔混合物包括酸和堿中的另一種、臭氧、以及水。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一清潔混合物包括酸，所述酸包括HF。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第二清潔混合物包括堿，所述堿包括NH₄OH。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一清潔混合物包括堿，所述堿包括NH₄OH。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二清潔混合物包括酸，所述酸包括HF。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一清潔和所述第二清潔還包括：在將所述第一清潔混合物和所述第二清潔混合物提供給所述半導(dǎo)體襯底的同時(shí)，加熱所述半導(dǎo)體襯底的背面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二清潔之后，清洗所述半導(dǎo)體襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二清潔之后，使用所述第一清潔混合物再次執(zhí)行所述第一清潔。

9.一種清潔半導(dǎo)體襯底的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底的表面上提供包括HF、臭氧和水的第一清潔溶液；

在提供所述第一清潔溶液之后，清洗所述半導(dǎo)體襯底；

在清洗之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上提供包括NH₄OH、臭氧和水的第二清潔溶液。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體晶圓的表面上形成第一部件；

在所述表面上的所述第一部件上噴射第一清潔混合物，所述第一清潔混合物包括臭氧和HF；以及

在停止噴射所述第一清潔混合物之后，在所述表面上的所述第一部件上噴射第二清潔混合物，所述第二清潔混合物包括臭氧和NH₄OH，其中與噴射所述第一清潔混合物原位地噴射所述第二清潔混合物。