[發明專利]膜形成裝置及膜形成方法

有效

• 申請號: 201510450812.0
• 申請日: 2015-07-28
• 公開（公告）號: CN105499069B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 岡本裕司
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: B05C5/02
• 分類號: B05C5/02;B05C9/12;B05D5/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭;郝傳鑫

1.一種膜形成裝置，其具有：

載物臺，用于保持基板；

噴嘴頭，與保持于所述載物臺的所述基板對置，并朝向所述基板吐出經液滴化的膜材料；

移動機構，使保持于所述載物臺的所述基板和所述噴嘴頭中的一個相對于另一個移動；

其特征在于，還具有：

存儲裝置，存儲待形成膜的圖像數據及膜厚補正信息；

控制裝置，根據所述圖像數據控制所述噴嘴頭及所述移動機構，由此在所述基板形成具有所述圖像數據所定義的圖案的膜；及

輸入裝置，用于向所述控制裝置輸入數據，

若從所述輸入裝置輸入有膜厚指令值，則所述控制裝置根據所述膜厚補正信息補正所述膜厚指令值，由此計算比所述膜厚指令值厚的膜厚目標值，

并且所述控制裝置控制所述噴嘴頭及所述移動機構，以形成相當于所述膜厚目標值厚度的膜。

2.根據權利要求1所述的膜形成裝置，其還具有：

等離子體處理裝置，對所述基板實施等離子體處理，從而去除形成于所述基板上的膜的表層部；及

輸送裝置，將保持于所述載物臺的膜形成后的所述基板搬入到所述等離子體處理裝置中，

所述控制裝置控制所述輸送裝置，從而將膜形成后的所述基板搬入到所述等離子體處理裝置中，

所述膜厚補正信息被定義為根據在所述等離子體處理裝置中所述膜的表層部的被去除厚度設定從所述膜厚指令值到所述膜厚目標值的增量。

3.根據權利要求2所述的膜形成裝置，其中，

所述等離子體處理裝置對所搬入的所述基板的整個表面實施等離子體處理。

4.根據權利要求2或3所述的膜形成裝置，其中，

所述膜厚補正信息被定義為從所述膜厚指令值到所述膜厚目標值的增量在1μm～3μm范圍內。

5.根據權利要求2或3所述的膜形成裝置，其中，

在所述等離子體處理裝置中進行利用等離子體的還原處理。

6.根據權利要求4所述的膜形成裝置，其中，在所述等離子體處理裝置中進行利用等離子體的還原處理。

7.一種膜形成方法，其具有如下工序：

根據圖像數據、膜厚補正信息和膜厚指令值從噴嘴頭朝向基板吐出膜材料的液滴，由此形成具有所述圖像數據所定義的圖案的膜，所述膜具有根據所述膜厚補正信息補正所述膜厚指令值而得到的比所述膜厚指令值厚的厚度；及

對形成有所述膜的所述基板的整個區域進行等離子體處理，由此去除附著于不必要區域的所述膜材料。