[發明專利]一種抗高溫氧化的讀出電路引出電極及其制備方法有效
| 申請號: | 201510449310.6 | 申請日: | 2015-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN105070786B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發明(設計)人: | 楊春麗;胡旭;姬榮斌;韓福忠;李京輝;吳思晉;湯金春;張敏;王冰 | 申請(專利權)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 昆明正原專利商標代理有限公司53100 | 代理人: | 徐玲菊,于洪 |
| 地址: | 650223 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高溫 氧化 讀出 電路 引出 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種抗高溫氧化的讀出電路引出電極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟a,讀出電路清洗:讀出電路從硅工廠流片完成后,引出電極為Al金屬層,以讀出電路為襯底,依次利用甲苯、丙酮和乙醇各超聲清洗三遍,清洗至讀出電路表面無多余物,然后用氮氣吹干殘留的液體;
步驟b,光刻、腐蝕電極孔:在步驟a所得讀出電路上,以2500~3500轉/分鐘的轉速,涂30秒的光刻膠AZ6130,涂膠厚度2~3μm,然后在80℃下烘烤2~3分鐘;利用光刻機曝光,采用AZ300MIF的顯影液進行顯影,控制顯影時間使得電極孔的光刻膠顯影干凈的同時,Al金屬層被腐蝕掉500-800?;
步驟c,復合電極濺射:利用多靶磁控濺射鍍膜機,在已完成步驟b的讀出電路上依次濺射500-600?的Ti金屬層或Cr金屬層,2000-2100?的Pa金屬層或Pt金屬層、500-600?的Au金屬層或Ti金屬層;
步驟d,剝離清洗:將經步驟c濺射的讀出電路放入丙酮里充分浸泡2.5小時以上,利用頻率為40KHz、超聲功率60W~80W的低功率超聲清洗機超聲清洗至覆蓋在讀出電路上的光刻膠全部剝離清洗干凈,剝離形成四層結構復合讀出電路引出電極。
2.根據權利要求1所述的抗高溫氧化的讀出電路引出電極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟a,讀出電路清洗:讀出電路從硅工廠流片完成后,引出電極為Al金屬層,以讀出電路為襯底,依次利用甲苯、丙酮和乙醇各超聲清洗三遍,清洗至讀出電路表面無多余物,然后用氮氣槍吹干殘留的液體;
步驟b,光刻、腐蝕電極孔:在步驟a所得讀出電路上,以2800轉/分鐘的轉速,涂30秒的光刻膠AZ6130,涂膠厚度2.5μm,然后在80℃下前烘2.5分鐘;利用光刻機曝光,采用AZ300MIF的顯影液進行顯影,控制顯影時間使得電極孔的光刻膠顯影干凈的同時,Al金屬層被腐蝕掉500-800?;
步驟c,復合電極濺射:利用多靶磁控濺射鍍膜機,在已完成步驟b的讀出電路上依次濺射550?的Cr金屬層,2070?的Pt金屬層、580?的Au金屬層;
步驟d,剝離清洗:將經步驟c濺射的讀出電路放入丙酮里充分浸泡2.5小時以上,利用頻率為40KHz、超聲功率70W的低功率超聲清洗機超聲清洗至覆蓋在讀出電路上的光刻膠全部剝離清洗干凈,剝離形成四層結構復合讀出電路引出電極。
3.權利要求1或2所述的抗高溫氧化的讀出電路引出電極的制備方法制得的抗高溫氧化的讀出電路引出電極。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





