[發(fā)明專利]一種小型化寬帶螺旋天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510443332.1 | 申請日: | 2015-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN105098340B | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃丘林;鮑健慧;王新懷;魏峰;史小衛(wèi) | 申請(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué);西安中電科西電科大雷達(dá)技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q17/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 小型化 寬帶 螺旋 天線 | ||
本發(fā)明公開了一種小型化寬帶螺旋天線,它包含整體為中空管狀結(jié)構(gòu)的金屬腔(4),該金屬腔(4)的內(nèi)壁上設(shè)置有第一吸波材料層(3),其內(nèi)部設(shè)置有饋電巴倫(5),所述金屬腔(4)的上端面處固定有天線層(1),其下端面處固定有金屬后蓋(6),所述天線層(1)的底部設(shè)置有第二吸波材料層(2),所述的饋電巴倫(5)的頂部向上延伸出與平面螺旋天線(9)接觸的饋電縫隙(11),其底部設(shè)有饋電接頭(7)。本發(fā)明采用平面螺旋天線和層狀吸波材料構(gòu)成輻射器,并在金屬腔內(nèi)壁貼層狀吸波材料,同時實現(xiàn)了寬帶、圓極化和小型化設(shè)計;有效減小饋電巴倫和輻射器之間的反射,改善天線的駐波特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微波與天線技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種小型化寬帶螺旋天線。
背景技術(shù)
隨著超寬帶通信技術(shù)、通信偵察和電子戰(zhàn)技術(shù)的不斷發(fā)展,小型化寬帶圓極化螺旋天線越來越受到關(guān)注。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中一般都要求天線同時具有數(shù)個倍頻程的帶寬、良好的圓極化特性以及小型化特征。
作為一種非頻變天線,螺旋天線在此類天線的設(shè)計上得到廣泛應(yīng)用,平面等角螺旋天線和阿基米德螺旋天線是兩種基本的平面螺旋天線。在許多設(shè)計要求中一般都希望螺旋天線同時滿足寬頻帶、圓極化和小型化特征。在公告號為CN103956581A“一種阿基米德螺旋天線制作方法”的專利中,通過指數(shù)螺卷線和正弦波曲折臂阿基米德螺旋線的綜合設(shè)計使平面螺旋天線小型化,天線口徑僅為0.28個最大工作波長。然而,該天線在低頻段和高頻段的增益很低,有待進(jìn)一步改進(jìn)。在公告號為CN104022360A“復(fù)合結(jié)構(gòu)平面螺旋天線”的專利中,將平面等角螺旋天線和阿基米德螺旋天線相結(jié)合,從而在2~18GHz的頻帶內(nèi)實現(xiàn)圓極化和小型化,天線口徑為0.33個最大工作波長。然而,該天線沒有使用反射腔,在實際中并不好應(yīng)用,若加上反射腔,其尺寸會有所增加。同時,該天線在高頻段方向圖畸變嚴(yán)重,只能在較小的角度范圍內(nèi)保持較低的軸比。在公告號為CN101394020A“帶背腔的超寬帶平面螺旋天線”的專利中,采用拋物面曲面的金屬背腔設(shè)計超寬帶的平面螺旋天線,在較寬的頻帶是實現(xiàn)了高增益,但是并沒有對天線的圓極化特性進(jìn)行討論,也沒有討論天線的小型化問題。在公告號為CN201570581U“一種超寬帶圓極化天線”的專利中,采用阿基米德螺旋線結(jié)構(gòu)的輻射器,反射腔內(nèi)壁覆蓋錐尖狀吸波材料,在反射腔底部覆蓋圓臺狀吸波材料,從而解決了阿基米德螺旋天線的后向輻射和輻射效率問題。但是,該天線尺寸較大,未考慮天線的小型化問題。在公告號為CN103490153A“超小型超寬帶螺旋天線”的專利中,采用平面螺旋線和縱向螺旋線,兩種螺旋線上采用電阻與金屬腔相連,并在反射腔中填充圓臺狀吸波材料,兼顧了寬帶化、圓極化和小型化。然而,該天線結(jié)構(gòu)復(fù)雜,加工制作難度大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種小型化寬帶螺旋天線,它能有效地解決背景技術(shù)中所存在的問題。
為了解決背景技術(shù)中所存在的問題,它包含整體為中空管狀結(jié)構(gòu)的金屬腔4,該金屬腔4的內(nèi)壁上設(shè)置有第一吸波材料層3,其內(nèi)部設(shè)置有饋電巴倫5,所述金屬腔4的上端面處固定有天線層1,其下端面處固定有金屬后蓋6,所述天線層1的底部設(shè)置有第二吸波材料層2,所述的饋電巴倫5的頂部向上延伸出與平面螺旋天線9接觸的饋電縫隙11,其底部設(shè)有饋電接頭7,所述饋電接頭7的另一端延伸出金屬后蓋6,所述的天線層1整體由介質(zhì)材料加工制作而成,其內(nèi)部設(shè)置有平面螺旋天線9,所述的饋電縫隙11位于天線層1的中部,該饋電縫隙11的兩側(cè)與平面螺旋天線9的端部的梯形過渡結(jié)構(gòu)10接觸;所述的金屬后蓋6整體為一個盤片式結(jié)構(gòu),其上頂面向上延伸出與其同心的圓柱環(huán)21,該圓柱環(huán)21上徑向開設(shè)有槽20;所述的饋電巴倫5整體為由介質(zhì)材料加工制作而成,其內(nèi)部設(shè)置有與其同心的指數(shù)指數(shù)漸變地結(jié)構(gòu)17,其中部設(shè)有與其同心的指數(shù)漸變微帶結(jié)構(gòu)18,所述指數(shù)漸變地結(jié)構(gòu)17在不平衡端設(shè)置有矩形金屬層19,該矩形金屬層19的兩端向饋電巴倫5的兩側(cè)延展至其邊緣處附近。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安電子科技大學(xué);西安中電科西電科大雷達(dá)技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新研究院有限公司,未經(jīng)西安電子科技大學(xué);西安中電科西電科大雷達(dá)技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510443332.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





