[發明專利]垃圾濃縮液高效高級氧化處理設備以及處理方法在審
| 申請號: | 201510442913.3 | 申請日: | 2015-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN105668913A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 施軍營;薛方亮;姜明;李浩亮 | 申請(專利權)人: | 德州藍德再生資源有限公司 |
| 主分類號: | C02F9/14 | 分類號: | C02F9/14 |
| 代理公司: | 北京市盛峰律師事務所 11337 | 代理人: | 席小東 |
| 地址: | 253000 山東省德州市德州運河經濟開發區*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垃圾 濃縮 高效 高級 氧化 處理 設備 以及 方法 | ||
技術領域
本發明屬于水處理凈化技術領域,具體涉及一種垃圾濃縮液高效高級氧化 處理設備以及處理方法。
背景技術
隨著我國城市規模的擴大、城市人口的增加與居民生活水平的提高,我國 城市生活垃圾的產量也在急劇上升。尤其是北京、上海、廣州等大城市,人均 日產垃圾已超過1kg,接近工業發達國家水平。根據我國垃圾處理“無害化、減 量化、資源化”的原則,將新建一大批生活垃圾衛生填埋場。而垃圾濃縮液是否 能被處理的達標排放是衡量一個填埋場是否為衛生填埋場的重要指標之一。
垃圾填埋和焚燒是目前處理垃圾的主要方法。然而,垃圾濃縮液污染卻是 現有固體廢棄物處理和未來垃圾填埋過程中不可避免的一個問題。垃圾濃縮液 會對周圍地下水、地表水和土壤造成嚴重的環境污染。在利用填埋場、焚燒廠 對城市生活垃圾進行處理以及全面管理的過程中,主要的工作內容之一就是對 垃圾濃縮液采用合適的方法進行處理,避免對周圍環境造成二次污染。
垃圾濃縮液是一種成分十分復雜的廢水,含有多種難降解的有機成分及氨 氮,具有污染物濃度高、毒性強、水質和水量波動大等特點。現有技術中,對 垃圾濃縮液所采用的處理工藝,普遍具有成本高、處理效率有限等問題,難以 有效保證出水水質。
發明內容
針對現有技術存在的缺陷,本發明提供一種垃圾濃縮液高效高級氧化處理 設備以及處理方法,可有效解決上述問題。
本發明采用的技術方案如下:
本發明提供一種垃圾濃縮液高效高級氧化處理設備,包括串聯的混凝絮凝 系統、芬頓高級氧化系統以及生化反應系統;
其中,所述混凝絮凝系統包括串聯的第1PH調節子系統、混凝子系統、絮凝 子系統和第1沉淀子系統;所述芬頓高級氧化系統包括串聯的第2PH調節子系統、 芬頓氧化子系統、中和子系統和第2沉淀子系統;此外,在所述第2沉淀子系統 和所述生化反應系統之間串聯有中間水池。
優選的,所述第1PH調節子系統包括第1調節池,在所述第1調節池的上方設 置有調節劑投料系統;在所述第1調節池的內部設置有攪拌系統;所述第1調節 池的下部設置有排水口;
所述混凝子系統包括混凝池,所述混凝池的底部設置有與所述第1調節池的 排水口連通的進水口;在所述混凝池的上方設置有混凝劑投料系統;在所述混 凝池的內部設置有攪拌系統;所述混凝池的上方設置有溢流口;
所述絮凝子系統包括絮凝池,所述絮凝池的上部設置有與所述混凝池的溢 流口連通的進水口;在所述絮凝池的上方設置有絮凝劑投料系統;在所述絮凝 池的內部設置有攪拌系統;所述絮凝池的上方設置有溢流口;
所述第1沉淀子系統包括第1沉淀池,所述第1沉淀池的上部設置有與所述絮 凝池的溢流口連通的進水口;在所述第1沉淀池的上部設置由多個斜管組成的斜 管區;在所述斜管區的上面設置集水槽;在所述第1沉淀池底部中心設置污泥斗, 所述污泥斗的四角為圓弧形倒角。
優選的,所述第2PH調節子系統包括第2調節池,在所述第2調節池的上方設 置有調節劑投料系統;在所述第2調節池的內部設置有攪拌系統;所述第2調節 池的下部設置有排水口;
所述芬頓氧化子系統包括芬頓氧化池,所述芬頓氧化池的底部設置有與所 述第2調節池的排水口連通的進水口;所述芬頓氧化池的上方設置有氧化劑和催 化劑投料系統;在所述芬頓氧化池的內部設置有攪拌系統;所述芬頓氧化池的 上部設置有溢流口;
所述中和子系統包括中和池,所述中和池的上部設置有與所述芬頓氧化池 的溢流口連通的進水口,所述中和池的上方設置有中和藥劑投料系統;在所述 中和池的內部設置有攪拌系統;所述中和池的上部設置有溢流口;
所述第2沉淀子系統包括第2沉淀池,所述第2沉淀池的上部設置有與所述中 和池的溢流口連通的進水口,所述第2沉淀池的上部設置有溢流口;
所述第2沉淀池的溢流口與所述中間水池的進水口連通。
優選的,所述生化反應系統包括生化反應池,所述生化反應池的底部設置 有進水口,該進水口通過加壓泵與所述中間水池的出水口連通;
所述生化反應池的下方設置有布水器,該布水器的進水口與所述生化反應 池的進水口連通;所述布水器的上方為填料區,所述填料區的下部為鵝卵石層, 所述填料區的上部為陶粒層;所述生化反應池的頂部為溢流口;
另外,在所述填料區的下部還設置有曝氣管。
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