[發明專利]一種太赫茲濾波器及其制作方法有效
| 申請號: | 201510439332.4 | 申請日: | 2015-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN105048028B | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 李修函;徐征帥;朱王強;楊天陽;許巍 | 申請(專利權)人: | 北京交通大學 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20;H01P11/00 |
| 代理公司: | 北京市商泰律師事務所 11255 | 代理人: | 王曉彬 |
| 地址: | 100044 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 赫茲 濾波器 及其 制作方法 | ||
1.一種太赫茲濾波器,其特征在于,包括:聚合材料層以及金屬層;所述金屬層包括片狀結構,所述片狀結構包括橫條和縱條,所述縱條的兩端均垂直連接有所述橫條,形成Ⅱ型或Ⅲ型結構;所述片狀結構周期性分布在所述聚合材料層內;所述金屬層為多層,所述相鄰金屬層之間的距離為1nm~100nm;屬于同一層的所述片狀結構尺寸相同;所述片狀結構的厚度為1nm~100μm;所述橫條的長度為1nm~100μm;所述縱條的長度為1nm~100μm;所述聚合材料層為柔性聚合材料。
2.根據權利要求1所述的太赫茲濾波器,其特征在于,所述柔性聚合材料包括:聚對二甲苯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷。
3.一種如權利要求1至2任意一項所述的太赫茲濾波器的制作方法,其特征在于,包括:
以雙拋硅片作為支撐襯底片,通過熱氧化方法,在所述襯底片表面生成一層二氧化硅絕緣介質層;
在所述雙拋硅片表面沉淀柔性聚合物材料形成第一層聚合材料;
將所述第一層聚合材料作為第一襯底,清洗,并涂抹光刻膠;
采用與所述片狀結構的圖形相對應的掩模板曝光所述第一層聚合材料上涂抹的光刻膠,經顯影去除曝光區域的光刻膠;
在曝光后的所述第一層聚合材料表面濺射金屬形成第一金屬層;
用丙酮剝離去除光刻膠,濺射在所述光刻膠上的金屬一并被去除;
在去除光刻膠后的所述第一層聚合材料表面沉淀柔性聚合材料作為第二層聚合材料,所述第一層聚合材料與所述第二層聚合材料形成聚合材料層。
4.根據權利要求3所述的太赫茲濾波器的制作方法,其特征在于,所述第一層聚合材料厚度為1μm~200μm;所述第一金屬層厚度為1nm~100μm。
5.根據權利要求3或4所述的太赫茲濾波器的制作方法,其特征在于,還包括:
將所述第二層聚合材料作為第二襯底,清洗,并涂抹光刻膠;
采用與所述片狀結構的圖形相對應的掩模板曝光所述第二層聚合材料上涂抹的光刻膠,經顯影去除曝光區域的光刻膠;;
在曝光后的所述第二層聚合材料表面濺射金屬形成第二金屬層,厚度為1nm~100μm;
用丙酮剝離去除光刻膠,濺射在所述光刻膠上的金屬一并被去除;
在去除光刻膠后的所述第二層聚合材料表面沉淀柔性聚合材料作為第三層聚合材料,所述第一層聚合材料、所述第二層聚合材料以及第三層聚合材料形成聚合材料層;
以此類推,直到得到具有需要數量的金屬層的太赫茲濾波器。
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