[發明專利]一種石墨烯半導體屏蔽料

在審

• 申請號: 201510439101.3
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN105131408A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 楊程;和玉光;戴圣龍;張曉艷;燕紹九
• 申請（專利權）人: 中國航空工業集團公司北京航空材料研究院
• 主分類號: C08L23/08
• 分類號: C08L23/08;C08K9/00;C08K7/00;C08K3/04
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種石墨烯半導體屏蔽料，其特征在于所述石墨烯半導體屏蔽料由石墨烯納米片和乙烯-醋酸乙烯酯組成，石墨烯納米片占所述屏蔽料質量百分比的0.5～30％。

2.根據權利要求1所述的石墨烯半導體屏蔽料，其特征在于石墨烯納米片占所述屏蔽料質量百分比的1～10％。

3.根據權利要求1所述的石墨烯半導體屏蔽料，其特征在于石墨烯納米片占所述屏蔽料質量百分比的1.5～3.3％。

4.一種如權利要求1～3任一項所述的石墨烯半導體屏蔽料的制備方法，所述制備方法包括下述步驟：

1)頻率為20～25kHz、功率為70～90％下超聲處理石墨烯納米片配成的水溶液15-30min；

2)在300～500rpm速率下，將乙烯-醋酸乙烯酯乳液加入步驟1)的石墨烯溶液中攪拌30～60min，得絮狀混合料；

3)用去離子水沖洗所述混合料，過濾，真空冷凍干燥，得石墨烯半導體屏蔽料的母料；

4)開煉混合10～15h，在160～180℃、壓力為8～15MPa下硫化步驟3)所得的母料8～12min，得石墨烯半導體屏蔽料。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述石墨烯溶液的濃度為5～20g/L。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟3)中所述的混合料用去離子水沖洗至中性。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟3)中所述的冷凍溫度為-50～-15℃，時間為3～5day，真空度＜10Pa。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于步驟4)中所述的硫化溫度為170～175℃，硫化時間為10～12min，硫化壓力為8～12MPa。