[發明專利]數據修正裝置及方法、描畫裝置及方法、檢查裝置及方法和存儲有程序的記錄介質有效
| 申請號: | 201510438510.1 | 申請日: | 2015-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN105278236B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 山田亮 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F1/44;G03F1/80 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻特性 分割區域 分割數據 基板 設計數據 存儲 蝕刻 數據修正裝置 基準位置 檢查裝置 描畫裝置 存儲部 修正 數據修正部 圖案 分割 | ||
1.一種數據修正裝置,用于修正通過蝕刻而形成在對象物上的圖案的設計數據,其特征在于,具有:
設計數據存儲部,存儲通過蝕刻而形成在對象物上的圖案的設計數據;
蝕刻特性存儲部,存儲與所述對象物上的多個基準位置分別對應的多個蝕刻特性,其中,所述圖案中包括的圖形構件之間的間隙寬度和所述對象物上的所述圖形構件被過剩地蝕刻的蝕刻量之間的關系作為所述蝕刻特性;
區域蝕刻特性獲取部,針對在所述對象物上設定的多個分割區域中的每一個,在基于各分割區域與所述多個基準位置的分別的位置關系對所述多個蝕刻特性進行加權處理后,基于進行了加權處理的所述多個蝕刻特性,求出所述各分割區域的蝕刻特性即區域蝕刻特性;以及
分割數據修正部,將所述設計數據分割成與所述多個分割區域對應的多個分割數據,基于與各分割數據對應的所述各分割區域的所述區域蝕刻特性來修正所述各分割數據。
2.如權利要求1所述的數據修正裝置,其特征在于,
所述設計數據的所述多個分割數據分別表示的分割圖案是相同的。
3.如權利要求2所述的數據修正裝置,其特征在于,
在所述多個分割數據包括對應的所述區域蝕刻特性相同的兩個以上的分割數據的情況下,通過所述分割數據修正部,對所述兩個以上的分割數據中包括的一個分割數據進行修正,所述一個分割數據的修正結果也作為所述分割數據修正部對所述兩個以上的分割數據中包括的其他的分割數據的修正結果來使用。
4.如權利要求3所述的數據修正裝置,其特征在于,
所述區域蝕刻特性獲取部所執行的對所述多個蝕刻特性的加權處理,是將基于與各蝕刻特性對應的基準位置和分割區域之間的距離的權重系數與各蝕刻特性相乘的處理;
所述多個蝕刻特性中與最接近所述各分割區域的一個基準位置對應的蝕刻特性相乘的權重系數是1,與除了所述蝕刻特性以外的蝕刻特性相乘的權重系數是0。
5.如權利要求2所述的數據修正裝置,其特征在于,
所述區域蝕刻特性獲取部所執行的對所述多個蝕刻特性的加權處理,是將基于與各蝕刻特性對應的基準位置和分割區域之間的距離的權重系數與各蝕刻特性相乘的處理;
所述多個蝕刻特性中與最接近所述各分割區域的一個基準位置對應的蝕刻特性相乘的權重系數是1,與除了所述蝕刻特性以外的蝕刻特性相乘的權重系數是0。
6.如權利要求1所述的數據修正裝置,其特征在于,
所述區域蝕刻特性獲取部所執行的對所述多個蝕刻特性的加權處理,是將基于與各蝕刻特性對應的基準位置和分割區域之間的距離的權重系數與各蝕刻特性相乘的處理;
所述多個蝕刻特性中與最接近所述各分割區域的一個基準位置對應的蝕刻特性相乘的權重系數是1,與除了所述蝕刻特性以外的蝕刻特性相乘的權重系數是0。
7.一種描畫裝置,用于在對象物上描畫圖案,其特征在于,具有:
權利要求1至6中任一項所述的數據修正裝置;
光源;
光調制部,基于由所述數據修正裝置修正后的設計數據對來自所述光源的光進行調制;以及
掃描機構,在對象物上掃描由所述光調制部調制后的光。
8.一種檢查裝置,用于檢查通過蝕刻而形成在對象物上的圖案,其特征在于,具有:
權利要求1至6中任一項所述的數據修正裝置;
實際圖像存儲部,存儲檢查圖像數據,該檢查圖像數據是通過蝕刻而形成在對象物上的圖案的圖像數據;以及
缺陷檢測部,通過比較由所述數據修正裝置修正后的設計數據與所述檢查圖像數據,來檢測在所述對象物上形成的所述圖案的缺陷。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





