[發(fā)明專利]一種基于SIW加載H型縫隙結(jié)構(gòu)的雙通帶濾波器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510438047.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-07-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105098301A | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王洪李;趙永久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P1/203 | 分類號(hào): | H01P1/203 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 朱亮淞 |
| 地址: | 210000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 siw 加載 縫隙 結(jié)構(gòu) 雙通帶 濾波器 | ||
1.一種基于SIW加載H型縫隙結(jié)構(gòu)的雙通帶濾波器,包括兩個(gè)SIW腔諧振器和共面波導(dǎo),所述兩個(gè)SIW腔諧振器的兩端通過共面波導(dǎo)分別與輸入輸出端連接,其特征在于:在兩個(gè)SIW腔諧振器的耦合窗口正上方加載H型縫隙結(jié)構(gòu);所述兩個(gè)SIW腔諧振器為在介質(zhì)基板上左右分別設(shè)置若干金屬化通孔圍合形成,位于左側(cè)的為第一SIW腔諧振器,位于右側(cè)的為第二SIW腔諧振器;所述金屬化通孔的直徑均一致,且相鄰金屬化通孔之間的間距相同;所述介質(zhì)基板包括介質(zhì)基片(11)、上層金屬層(12)和下層金屬層(13),設(shè)定介質(zhì)基板上橫向中線為y軸,縱向中線為x軸,所述介質(zhì)基片(11)設(shè)置在上層金屬層(12)和下層金屬層(13)之間;所述H型縫隙結(jié)構(gòu)包括第五槽線(25)、第六槽線(26)和第七槽線(27),所述第五槽線(25)和第七槽線(27)平行設(shè)置在耦合窗口正上方,所述第五槽線(25)和第七槽線(27)關(guān)于y軸對(duì)稱,所述第六槽線(26)垂直設(shè)置在第五槽線(25)與第七槽線(27)之間的中線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于SIW加載H型縫隙結(jié)構(gòu)的雙通帶濾波器,其特征在于:所述共面波導(dǎo)通過在上層金屬層(12)開設(shè)第一槽線(21)、第二槽線(22),以及在上層金屬層(12)開設(shè)第三槽線(23)、第四槽線(24)形成,第一饋線(31)和第二饋線(32)分別為在介質(zhì)基片(11)上設(shè)置的條狀金屬層,所述第一饋線(31)通過第一槽線(21)和第二槽線(22)與第一SIW腔諧振器左側(cè)中部連接,所述第二饋線(32)通過第三槽線(23)和第四槽線(24)與第二SIW腔諧振器右側(cè)中部連接,所述第一槽線(21)、第二槽線(22)、第三槽線(23)和第四槽線(24)分別為在介質(zhì)基板的上層金屬層(12)上開設(shè)的L形凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于SIW加載H型縫隙結(jié)構(gòu)的雙通帶濾波器,其特征在于:設(shè)定介質(zhì)基板上橫向中線為y軸,縱向中線為x軸,所述第一饋線(31)和第二饋線(32)關(guān)于x軸對(duì)稱,第一槽線(21)和第二槽線(22)關(guān)于y軸對(duì)稱,第三槽線(23)和第四槽線(24)關(guān)于y軸對(duì)稱,第一槽線(21)和第三槽線(23)關(guān)于x軸對(duì)稱,第二槽線(22)和第四槽線(24)關(guān)于x軸對(duì)稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種基于SIW加載H型縫隙結(jié)構(gòu)的雙通帶濾波器,其特征在于:所述第一饋線(31)與第二饋線(32)的特性阻抗為50歐姆。
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