[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510435044.1
• 申請(qǐng)日: 2015-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105118835A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃維
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;上海交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種陣列基板制作方法、一種陣列基板、一種顯示面板和一種顯示裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)在制作薄膜晶體管的工藝中，先在柵絕緣層之上形成半導(dǎo)體層，然后對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，保留溝道區(qū)的半導(dǎo)體層作為有源層，再制作源極和漏極與有源層搭接。

其中對(duì)半導(dǎo)體層蝕刻的工藝會(huì)對(duì)保留的半導(dǎo)體層(即有源層)造成損傷，即使在半導(dǎo)體層上形成蝕刻阻擋層，也無(wú)法完全避免蝕刻對(duì)保留的半導(dǎo)體造成損傷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，避免在制作薄膜晶體管的工藝中對(duì)有源層造成損傷。

為此目的，本發(fā)明提出了一種陣列基板制作方法，包括：

在柵絕緣層之上形成源極和漏極；

在所述柵絕緣層和源極與漏極之上形成光刻膠；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)，以露出所述源極和漏極之間的柵絕緣層，以及部分源極和部分漏極；

在所述溝道區(qū)形成有源層，以覆蓋漏出的柵絕緣層、所述部分源極和所述部分漏極。

優(yōu)選地，在所述溝道區(qū)形成有源層包括：

將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，

其中，所述光刻膠的表面能與所述柵絕緣層的表面能之差大于預(yù)設(shè)值。

優(yōu)選地，在溝道區(qū)形成有源層包括：

通過(guò)噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、刮涂、旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層。

優(yōu)選地，所述溝道區(qū)的長(zhǎng)寬比為10:1至50:1。

優(yōu)選地，通過(guò)噴墨打印的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為5μm至50μm。

優(yōu)選地，通過(guò)絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為30μm至100μm。

優(yōu)選地，在通過(guò)刮涂和/或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層之后還包括：

去除所述溝道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料。

優(yōu)選地，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)包括：

通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻。

優(yōu)選地，所述光刻膠為含氟光刻膠。

優(yōu)選地，所述溝道區(qū)的長(zhǎng)寬比為10:1至50:1。

優(yōu)選地，在所述溝道區(qū)形成有源層還包括：

通過(guò)控制對(duì)所述有源層的退火時(shí)間和退火溫度，設(shè)置所述有源層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。

優(yōu)選地，還包括：

去除所述溝道區(qū)以外的光刻膠。

本發(fā)明還提出了一種陣列基板，包括：

柵絕緣層；

源極和漏極，設(shè)置在所述柵絕緣層之上；

有源層，設(shè)置在預(yù)設(shè)溝道區(qū)，覆蓋部分所述源極和部分所述漏極以及所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層。

優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)長(zhǎng)寬比為10:1至50:1。

優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)的寬度為5μm至50μm，或30μm至100μm。

優(yōu)選地，還包括：

鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上，

其中，所述鈍化層中設(shè)置有過(guò)孔；

像素電極，設(shè)置在所述鈍化層之上，通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極電連接。

本發(fā)明還提出了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。

本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

通過(guò)上述技術(shù)方案，可以先形成源極和漏極，然后通過(guò)光刻膠形成溝道區(qū)，進(jìn)而在溝道區(qū)直接形成有源層，無(wú)需對(duì)形成有源層的半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，從而避免對(duì)有源層造成損傷。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法的示意流程圖；

圖2至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法的具體流程圖；

圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

1-柵絕緣層；2-源極；3-漏極；4-有源層；5-光刻膠；6-鈍化層；7-像素電極；8-基底；9-柵極。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。