[發明專利]CMOS反相器的校正電路及校正方法有效
| 申請號: | 201510434657.3 | 申請日: | 2015-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN105337605B | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 林嘉亮 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;趙根喜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cmos 反相器 校正 電路 方法 | ||
1.一種CMOS反相器的校正電路,其特征在于,包括:
一第一可調式CMOS反相器,受控于兩個控制信號,以從一第一電路節點接收一第一電壓并且輸出一第二電壓至一第二電路節點;
一第二可調式CMOS反相器,受控于該兩個控制信號,以從該第二電路節點接收該第二電壓并且輸出該第一電壓至該第一電路節點;
一電阻,耦接該第一電路節點至該第二電路節點;
一開關,受控于一重置信號,以有條件地將該第一電路節點短路至該第二電路節點;以及
一有限狀態機,以接收該第一電壓與該第二電壓并且輸出該重置信號與該兩個控制信號,其中該兩個控制信號是基于該第一電壓與該第二電壓之間的差異而調整。
2.如權利要求1所述的CMOS反相器的校正電路,其中該兩個控制信號是用以控制該第一可調式CMOS反相器內的一MOS晶體管的跨導以及該第二可調式CMOS反相器內的一MOS晶體管的跨導。
3.如權利要求2所述的CMOS反相器的校正電路,其中該有限狀態機以包括多個處理周期的一迭代程序逐步地調整該兩個控制信號。
4.如權利要求3所述的CMOS反相器的校正電路,其中于該些處理周期中的每一處理周期的一第一步驟中,該有限狀態機致能該重置信號以將該第一電路節點短路至該第二電路節點,使該第一電壓與該第二電壓相等于一轉態點。
5.如權利要求4所述的CMOS反相器的校正電路,其中于該處理周期的一第二步驟中,該有限狀態機禁能該重置信號以允許該第一電壓與該第二電壓產生該差異。
6.如權利要求5所述的CMOS反相器的校正電路,其中當該第一電壓與該第二電壓中的一者上升至邏輯高的位準且該第一電壓與該第二電壓中的另一者下降至邏輯低的位準時,該差異視為大,其中該兩個控制信號是響應該第一電壓與該第二電壓之間的該差異被測定為大而調整。
7.如權利要求6所述的CMOS反相器的校正電路,其中于該處理周期的一第三步驟中,當該第一電壓與該第二電壓未產生大差異時,該有限狀態機調整該兩個控制信號以迫使一增量至該第一可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的該跨導與該第二可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的該跨導。
8.如權利要求7所述的CMOS反相器的校正電路,其中于該處理周期的該第三步驟中,當該第一電壓與該第二電壓產生大差異時,該有限狀態機調整該兩個控制信號以迫使一減量至該第一可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的該跨導與該第二可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的該跨導。
9.如權利要求3所述的CMOS反相器的校正電路,其中該兩個控制信號測定該第一可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的一基極端的電壓與該第二可調式CMOS反相器內的該MOS晶體管的一基極端的電壓。
10.如權利要求9所述的CMOS反相器的校正電路,其中該兩個控制信號是由受控于一控制碼的一數字模擬轉換器所產生。
11.如權利要求10所述的CMOS反相器的校正電路,其中該有限狀態機通過配給增量或減量之一更新至該控制碼來調整該兩個控制信號。
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