[發明專利]陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201510434559.X
• 申請日: 2015-07-22
• 公開（公告）號: CN105140177A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 趙生偉;劉華鋒;張凱
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括：

在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用掩膜板進行曝光、顯影；

對所述多晶硅層和非晶硅層進行第一次刻蝕形成非晶硅的圖形；

對光刻膠進行灰化處理的步驟，使光刻膠形成與多晶硅圖形對應的圖形；

對多晶硅層進行第二次刻蝕形成多晶硅的圖形。

3.如權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括：

在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用半透掩膜板進行曝光、顯影，使所述光刻膠形成中心區域厚度大于邊緣區域的圖形，其中，所述光刻膠的圖形與所述非晶硅層的圖形相對應，

所述中心區域的圖形與所述多晶硅層的圖形相對應；

對所述多晶硅層和非晶硅層進行刻蝕形成非晶硅層和多晶硅層的圖形。

4.如權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

在采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟之前還包括：

在襯底上依次沉積第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的步驟；

將第二非晶硅層轉化為多晶硅層的步驟；

所述將第二非晶硅層轉化為多晶硅層的步驟包括：對第二非晶硅層進行脫氫處理的步驟和準分子激光處理的步驟。

5.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是采用如權利要求1-4任一所述陣列基板的制備方法制備的。

6.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求5所述的陣列基板。

7.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求6所述的顯示面板。