[發(fā)明專利]高聚物納米柱陣列、微反應(yīng)室陣列的制備方法及應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510434320.2 | 申請(qǐng)日： | 2015-07-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106365116B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周小春;李飛飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號(hào)： | B82B3/00 | 分類號(hào)： | B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N33/00;C08F120/14;C08J9/26 |
| 代理公司： | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高聚物 納米 陣列 反應(yīng) 制備 方法 應(yīng)用 | ||
【權(quán)利要求書】：
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