[發明專利]納米T型柵的制作方法有效
| 申請號： | 201510433165.2 | 申請日： | 2015-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN105118774B | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 張立森;邢東;王俊龍;梁士雄;楊大寶;馮志紅 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所13120 | 代理人： | 蘇英杰 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 制作方法 | ||
1.一種納米T型柵的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：
1)在襯底(1)的上表面涂覆第一電子束光刻膠，然后烘干，形成第一電子束光刻膠層(2)；
2)在第一電子束光刻膠層(2)的上表面涂覆第二電子束光刻膠，然后烘干，形成第二電子束光刻膠層(3)；
3)在第二電子束光刻膠層(3)的上表面涂覆第三電子束光刻膠，然后烘干，形成第三電子束光刻膠層(4)；
4)對第三電子束光刻膠層(4)和第二電子束光刻膠層(3)進行光刻處理，在第三電子束光刻膠層上形成T型柵(6)的柵帽圖形；
5)對第一電子束光刻膠層進行光刻處理，在第一電子束光刻膠層(2)上形成T型柵(6)的柵根圖形；
6)在步驟5)處理后的器件的上表面沉積柵電極金屬(5)；
7)剝離第一電子束光刻膠層(2)、第二電子束光刻膠層(3)、第三電子束光刻膠層(4)以及第三電子束光刻膠層(4)上表面沉積的柵電極金屬(5)，在襯底(1)的上表形成T型柵(6)；
所述第一電子束光刻膠層(2)的制作材料為PMMA，厚度為150nm-200nm，熱板烘干時間為2分鐘-4分鐘；
所述第二電子束光刻膠層(3)的制作材料為PMGI，厚度為500nm-600nm，熱板烘干時間為2分鐘-4分鐘；
所述第三電子束光刻膠層(4)的制作材料為PMMA，厚度為300nm-350nm，熱板烘干時間為2分鐘-4分鐘。
2.根據權利要求1所述的納米T型柵的制作方法，其特征在于：所述方法通過電子束光刻機對電子束光刻膠層進行光刻處理。
3.根據權利要求1所述的納米T型柵的制作方法，其特征在于：所述沉積的柵電極金屬(5)為Ti、Pt或Au。
4.根據權利要求1所述的納米T型柵的制作方法，其特征在于：所述方法在步驟1)前還包括襯底(1)的清洗和烘干步驟。
5.根據權利要求1所述的納米T型柵的制作方法，其特征在于：所述方法在步驟7)后還包括清洗和烘干步驟。
6.根據權利要求1所述的納米T型柵的制作方法，其特征在于：步驟6)中，采用蒸發或濺射的方法在步驟5)處理后的器件的上表面沉積柵電極金屬(5)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
