[發(fā)明專利]線偏振平面光波對襯底上方的二氧化釩微粒的可調(diào)諧捕獲和篩選的方法

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• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN105182519A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹暾
• 申請（專利權(quán)）人: 大連理工大學(xué)
• 主分類號: G02B21/32
• 分類號: G02B21/32;G21K1/00;G02B27/28
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1.一種線偏振平面光波對襯底上方的二氧化釩微粒的可調(diào)諧捕獲和篩選的方法，其特征在于，將二氧化釩微粒置于襯底平板上方，該襯底平板破壞了二氧化釩微粒周圍的玻印亭矢量對稱分布，使二氧化釩微粒上的總玻印亭矢量不為零，產(chǎn)生非梯度光學(xué)力；通過改變二氧化釩的晶格結(jié)構(gòu)，使二氧化釩由單斜結(jié)構(gòu)的絕緣體態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆浇Y(jié)構(gòu)的金屬態(tài)，改變二氧化釩微粒上的總玻印亭矢量分布，進(jìn)而改變總玻印亭矢量作用在二氧化釩微粒上的非梯度光學(xué)力的方向和大小，來調(diào)控二氧化釩微粒在入射光場中的運(yùn)動(dòng)軌跡，從而對附著在二氧化釩微粒表面的納米尺寸分子進(jìn)行可調(diào)諧捕獲和篩選，其中，二氧化釩微粒置于襯底平板上方，襯底平板是介質(zhì)板或金屬板，襯底的長、寬、高在10納米到10米，二氧化釩微粒與襯底平板表面的距離為l，l>0；二氧化釩微粒的外形是曲面幾何體或者多面體，體積在1立方納米至1000立方微米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，入射光為線偏振平面波；入射光方向平行于襯底平板，頻率范圍為0.3微米～20微米，功率范圍為0.1mW/μm²～10mW/μm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，入射光的光源采用波長可調(diào)諧激光器、半導(dǎo)體連續(xù)、準(zhǔn)連續(xù)激光或者發(fā)光二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，襯底材料是金屬或介質(zhì)，其中，金屬是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt，介質(zhì)是Si、SiO₂、GaAs、InP，Al₂O₃中的一種或聚合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒，納米尺寸分子具有非手性結(jié)構(gòu)或手性結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒，二氧化釩通過材料生長工藝實(shí)現(xiàn)，包括磁控濺射、電子束蒸發(fā)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀、氣相外延生長、分子束外延、脈沖激光沉積法、So-Gel法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒通過光照、通電、加熱和加壓改變其中二氧化釩的晶格結(jié)構(gòu)，即二氧化釩由單斜結(jié)構(gòu)的絕緣體態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆浇Y(jié)構(gòu)的金屬態(tài)。