[發明專利]線偏振平面光波對襯底上方的二氧化釩微粒的可調諧捕獲和篩選的方法

在審

• 申請號: 201510432104.4
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN105182519A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 曹暾
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: G02B21/32
• 分類號: G02B21/32;G21K1/00;G02B27/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種線偏振平面光波對襯底上方的二氧化釩微粒的可調諧捕獲和篩選的方法，其特征在于，將二氧化釩微粒置于襯底平板上方，該襯底平板破壞了二氧化釩微粒周圍的玻印亭矢量對稱分布，使二氧化釩微粒上的總玻印亭矢量不為零，產生非梯度光學力；通過改變二氧化釩的晶格結構，使二氧化釩由單斜結構的絕緣體態轉變為四方結構的金屬態，改變二氧化釩微粒上的總玻印亭矢量分布，進而改變總玻印亭矢量作用在二氧化釩微粒上的非梯度光學力的方向和大小，來調控二氧化釩微粒在入射光場中的運動軌跡，從而對附著在二氧化釩微粒表面的納米尺寸分子進行可調諧捕獲和篩選，其中，二氧化釩微粒置于襯底平板上方，襯底平板是介質板或金屬板，襯底的長、寬、高在10納米到10米，二氧化釩微粒與襯底平板表面的距離為l，l>0；二氧化釩微粒的外形是曲面幾何體或者多面體，體積在1立方納米至1000立方微米。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，入射光為線偏振平面波；入射光方向平行于襯底平板，頻率范圍為0.3微米～20微米，功率范圍為0.1mW/μm²～10mW/μm²。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，入射光的光源采用波長可調諧激光器、半導體連續、準連續激光或者發光二極管。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，襯底材料是金屬或介質，其中，金屬是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt，介質是Si、SiO₂、GaAs、InP，Al₂O₃中的一種或聚合物。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒，納米尺寸分子具有非手性結構或手性結構。

6.根據權利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒，二氧化釩通過材料生長工藝實現，包括磁控濺射、電子束蒸發、金屬有機化合物化學氣相沉淀、氣相外延生長、分子束外延、脈沖激光沉積法、So-Gel法。

7.根據權利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的二氧化釩微粒通過光照、通電、加熱和加壓改變其中二氧化釩的晶格結構，即二氧化釩由單斜結構的絕緣體態轉變為四方結構的金屬態。