[發明專利]線偏振非平面光波在硫族化物金屬多層核-殼體表面產生可調諧非梯度光學力的方法

有效

• 申請號: 201510431037.4
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN105137585B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 曹暾
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: G02B21/32
• 分類號: G02B21/32;G21K1/00
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 梅洪玉

1.一種線偏振非平面光波在硫族化物金屬多層核-殼體表面產生可調諧非梯度光學力的方法，其特征在于，在線偏振非平面光波照射下，通過使硫族化物/金屬多層核-殼體偏離入射光軸(z軸)中心，破壞硫族化物/金屬多層核-殼體周圍的玻印亭矢量對稱分布，使多層核-殼體上的總玻印亭矢量不為零，產生非梯度光學力；且該總玻印亭矢量隨硫族化物的晶格結構的變化發生改變，進而改變總玻印亭矢量作用在多層核-殼體上的非梯度光學力的方向和大小，來調控多層核-殼體在入射光場中的運動軌跡，從而對附著在多層核-殼體表面的納米尺寸分子進行可調諧捕獲和篩選，其中多層核-殼體處于入射光束內，且偏離光束沿入射方向的中心對稱軸(z軸)的距離為l,0<l≤w(z)；w(z)為入射光束寬，隨z的變化發生改變，-∞<z<+∞；多層核-殼體由金屬層、硫族化物層交替生長而成，層數為n層，n>1，每層厚度在1納米至1微米；多層核-殼體的外形是曲面幾何體或者多面體，體積在1立方納米至1000立方微米；多層核-殼體中核與殼的中心重疊或分離。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，入射光為線偏振非平面波，類型包括高斯波、貝塞爾波、艾里波；入射光垂直照射硫族化物/金屬多層核-殼體；頻率范圍為0.3μm～20μm；功率范圍為0.1mW/μm²～10mW/μm²。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，入射光的光源采用波長可調諧激光器、半導體連續或準連續激光或者發光二極管。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的硫族化物/金屬多層核-殼體，金屬層是Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的硫族化物/金屬多層核-殼體，硫族化物層是GeTe，Ge₂Sb₂Te₅，Ge₁Sb₂Te₄，Ge₂Sb₂Te₄，Ge₃Sb₄Te₈，Ge₁₅Sb₈₅，Ag₅In₆Sb₅₉Te₃₀。

6.根據權利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的硫族化物/金屬多層核-殼體，納米尺寸分子具有非手性結構或手性結構。

7.根據權利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的硫族化物/金屬多層核-殼體，多層結構通過材料生長工藝實現，包括磁控濺射、電子束蒸發、金屬有機化合物化學氣相沉淀、氣相外延生長、分子束外延。

8.根據權利要求1或2或4或5所述的方法，其特征在于，表面附有納米尺寸分子的硫族化物/金屬多層核-殼體，通過光照、通電、加熱和加壓等方式改變其中硫族化物的晶格結構。