[發明專利]一種用于直流特高壓絕緣組合物、制備方法及其用途有效
| 申請號: | 201510430864.1 | 申請日: | 2015-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN105062074B | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發明(設計)人: | 薛楊;李欣欣;張冬海;徐志磊;沈輝;韓世健;陳殿龍;錢西慧;王好盛;陳運法 | 申請(專利權)人: | 中國科學院過程工程研究所;江東金具設備有限公司 |
| 主分類號: | C08L83/04 | 分類號: | C08L83/04;C08L83/06;C08K9/06;C08K3/04;C08K3/22;H01B3/10;H01B3/46 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟;侯瀟瀟 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 直流 高壓 絕緣 組合 制備 方法 及其 用途 | ||
1.一種用于直流特高壓絕緣組合物,其包括如下組分:
(A)石墨烯納米片;
(B)層狀復合金屬氫氧化物;
所述石墨烯納米片的體積是層狀復合金屬氫氧化物體積的0.025~0.1vol%。
2.如權利要求1所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述石墨烯納米片的體積百分比為0.04~0.085vol%。
3.如權利要求2所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述石墨烯納米片的體積百分比為0.045~0.07vol%。
4.如權利要求1所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述石墨烯納米片的厚度為1~20nm,長度為100nm~20μm,比表面積為30~1500m2/g。
5.如權利要求4所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述石墨烯納米片的厚度為5~10nm,長度為300nm~5μm。
6.如權利要求1所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述層狀復合金屬氫氧化物具有如下通式:
[M1a2+M2b2+M3c3+M4d3+(OH)y]x+(zAn-)·vH2O
其中M1和M2為二價金屬陽離子,M1包括Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Co2+或Ni2+中的任意一種,M2包括Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Co2+或Ni2+中的任意一種,M3和M4為三價金屬陽離子,M3包括Al3+、Cr3+、Fe3+或Ce3+中的任意一種,M4包括Al3+、Cr3+、Fe3+或Ce3+中的任意一種;
a+b等于1-x;c+d等于x,其中,x為(M33++M43+)/(M12++M22++M33++M43+)的摩爾比值,為0.1~0.9;y為1~6;
An-代表層間可交換的陰離子,包括硝酸根、硫酸根、乳酸根、氨基酸、氯離子、碳酸根,z為陰離子摩爾數量,n為陰離子價數,其中zn等于[2(a+b)+3(c+d)-y];v為層間結晶水數量,為0.1~5。
7.如權利要求6所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,M1為Ca2+、Mg2+或Zn2+中的任意一種,M2為Co2+、Ni2+或Cu2+中的任意一種,M3為Al3+或Fe3+,M4為Cr3+或Ce3+;x為0.2~0.8,y為2~4;v為0.5~3。
8.如權利要求7所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,x為0.5~0.7。
9.如權利要求1所述的直流特高壓絕緣組合物,其特征在于,所述絕緣組合物還包括(C)偶聯劑。
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