[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201510430056.5 | 申請日： | 2010-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN105140292B | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發明（設計）人： | 坂田淳一郎;廣橋拓也;岸田英幸 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣層；
所述柵極絕緣層上的第一氧化物半導體層；
所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；以及
與所述第二氧化物半導體層電連接的源電極層及漏電極層，
其中，所述第二氧化物半導體層設置在所述第一氧化物半導體層的溝道形成區上，并且
其中，所述第二氧化物半導體層覆蓋所述第一氧化物半導體層的端部，并延伸在所述源電極層及所述漏電極層之下。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源電極層和所述漏電極層包括從下列中選擇的一種或多種材料：
鈦、鋁、錳、鎂、鋯、鈹、釷和銅。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源電極層和所述漏電極層包括錳和銅。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述源電極層包括其中所述源電極層的材料被氧化的區域，并且
其中，所述漏電極層包括其中所述漏電極層的材料被氧化的區域。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二氧化物半導體層的上表面與所述源電極層和所述漏電極層直接接觸。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置被包含于選自由計算機的監視器、移動電話機、圖像拍攝裝置及電視機組成的組中的一個中。
7.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣層；
所述柵極絕緣層上的第一氧化物半導體層；
所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；以及
與所述第二氧化物半導體層電連接的源電極層及漏電極層，
其中，所述第二氧化物半導體層包括在所述源電極層和所述漏電極層之間的凹部，
其中，所述第二氧化物半導體層設置在所述第一氧化物半導體層的溝道形成區上，并且
其中，所述第二氧化物半導體層覆蓋所述第一氧化物半導體層的端部，并延伸在所述源電極層及所述漏電極層之下。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述源電極層和所述漏電極層包括從下列中選擇的一種或多種材料：
鈦、鋁、錳、鎂、鋯、鈹、釷和銅。
9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述源電極層和所述漏電極層包括錳和銅。
10.根據權利要求7所述的半導體裝置，
其中，所述源電極層包括其中所述源電極層的材料被氧化的區域，并且
其中，所述漏電極層包括其中所述漏電極層的材料被氧化的區域。
11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第二氧化物半導體層的上表面與所述源電極層和所述漏電極層直接接觸。
12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置被包含于選自由計算機的監視器、移動電話機、圖像拍攝裝置及電視機組成的組中的一個中。
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