[發明專利]一種絕緣層、陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510429076.0
• 申請日: 2015-07-20
• 公開（公告）號: CN105097839B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 諶澤林;楊曉峰;歐飛;王丹名
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種絕緣層，所述絕緣層上經過一次刻蝕形成有過孔，所述過孔形成于周邊電路綁定區域對應柵線引線的位置處，以使柵線引線與柔性線路板實現電連接，其特征在于，所述絕緣層包括：形成在襯底基板上的第一子層以及位于所述第一子層上、且與所述第一子層接觸的第二子層；其中，所述第一子層的致密度大于所述第二子層的致密度；

所述過孔在對應所述第一子層和所述第二子層的同一位置處，貫穿所述第一子層和所述第二子層；

所述絕緣層為柵絕緣層；

所述絕緣層還包括位于所述第二子層上、且與所述第二子層接觸的第三子層；其中，所述第三子層的致密度大于所述第二子層的致密度；

所述過孔不貫穿所述第三子層。

2.根據權利要求1所述的絕緣層，其特征在于，所述第三子層的致密度大于所述第一子層的致密度。

3.根據權利要求1所述的絕緣層，其特征在于，所述第二子層的厚度不小于

4.根據權利要求1或3所述的絕緣層，其特征在于，所述第二子層和所述第三子層的厚度之和為所述絕緣層厚度的15％-30％。

5.一種陣列基板，包括：襯底基板以及形成在所述襯底基板上的柵金屬層、覆蓋所述柵金屬層的柵絕緣層；所述柵金屬層包括柵極和柵線引線；其特征在于，所述柵絕緣層為權利要求1-4任一項所述的絕緣層，且所述第一子層與所述柵金屬層接觸；

所述過孔位于對應所述柵線引線的位置處。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述絕緣層還包括第三子層的情況下，所述第三子層位于所述柵極位置的上方。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述第三子層上的有源層。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第三子層和所述有源層的圖案相同。

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述有源層上的源漏金屬層，所述源漏金屬層包括源極、漏極以及覆蓋所述過孔的連接電極，所述連接電極在所述過孔處與所述柵線引線直接接觸。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在柵金屬層上形成柵絕緣層，其中，所述柵金屬層包括柵極和柵線引線；所述形成柵絕緣層具體包括：

在所述柵金屬層上依次形成第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜；其中，所述第一柵絕緣薄膜的致密度大于所述第二柵絕緣 薄膜的致密度；

在所述第一柵絕緣薄膜和所述第二柵絕緣薄膜對應所述柵線引線的同一位置處一次刻蝕形成過孔，以形成第一子層和第二子層；

在所述第一柵絕緣薄膜和所述第二柵絕緣薄膜對應所述柵線引線的同一位置處一次刻蝕形成過孔之前，所述形成柵絕緣層還包括：

在所述第二柵絕緣薄膜上形成第三柵絕緣薄膜，以及對所述第三柵絕緣薄膜構圖，形成第三子層；其中，所述第三柵絕緣薄膜的致密度大于所述第二柵絕緣層的致密度；

所述過孔不貫穿所述第三子層。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述柵金屬層上依次形成第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜以及在所述第二柵絕緣薄膜上形成第三柵絕緣薄膜具體包括：

采用第一速率沉積絕緣材料，以形成第一柵絕緣薄膜；

采用第二速率沉積絕緣材料，以形成第二柵絕緣薄膜；

采用第三速率沉積絕緣材料，以形成第三柵絕緣薄膜；其中，所述第一速率小于所述第二速率，所述第三速率小于所述第二速率。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第三速率小于所述第一速率。