[發(fā)明專利]單桿多級(jí)活塞有源雙控變阻尼磁流變阻尼器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510427307.4
• 申請(qǐng)日: 2015-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN105065557A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 班書昊;李曉艷;蘇少航;蔣學(xué)東;徐然;席仁強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州大學(xué)
• 主分類號(hào): F16F9/53
• 分類號(hào): F16F9/53
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.單桿多級(jí)活塞有源雙控變阻尼磁流變阻尼器，其特征在于：包括梯度工作缸體模塊(1)、裝設(shè)于所述梯度工作缸體模塊(1)左端的左端蓋(2)、裝設(shè)于所述梯度工作缸體模塊(1)右端的右端蓋模塊(4)、裝設(shè)于所述梯度工作缸體模塊(1)內(nèi)部的多級(jí)活塞模塊(3)、裝設(shè)于所述右端蓋模塊(4)上的電源(5)、工作間隙(63)和磁流變液(7)；所述梯度工作缸體模塊(1)包括工作缸體本體(11)、纏繞于所述工作缸體本體(11)外壁凹槽內(nèi)的主控線圈(12)、裝設(shè)于所述主控線圈(12)外部的線圈屏蔽層(13)；所述工作缸體本體(11)為左端內(nèi)徑最小、右端內(nèi)徑最大、其余部分內(nèi)徑線性變化的空心圓柱體；所述右端蓋模塊(4)包括右端蓋(41)、開設(shè)于所述右端蓋(41)中心處的軸承孔(42)、裝設(shè)于所述軸承孔(42)內(nèi)的軸承(43)、裝設(shè)于所述右端蓋(41)左側(cè)密封所述軸承孔(42)的密封裝置(44)；所述多級(jí)活塞模塊(3)包括活塞桿(31)、裝設(shè)于所述活塞桿(31)上的一級(jí)活塞(32)、裝設(shè)于所述活塞桿(31)上的二級(jí)活塞(33)、裝設(shè)于所述活塞桿(31)上的三級(jí)活塞(33)、裝設(shè)于所述活塞桿(31)上位于兩個(gè)活塞之間的輔助線圈(35)、裝設(shè)于所述輔助線圈(35)外表面的線圈保護(hù)層(36)；所述活塞桿(31)的另一端通過(guò)所述密封裝置(44)和軸承孔(43)伸到所述右端蓋模塊(4)的外部；三個(gè)所述活塞(31、32、33)的直徑按照等差數(shù)列設(shè)計(jì)，且他們的外徑邊緣到所述工作缸體本體(11)內(nèi)徑邊緣的距離相等；所述多級(jí)活塞模塊(3)將所述工作缸體本體(11)內(nèi)部的空間分為流變液左室(61)和流變液右室(62)；三個(gè)所述活塞(31、32、33)的外周壁與所述工作缸體本體(11)的內(nèi)周壁之間的間隙構(gòu)成了所述磁流變液(7)流動(dòng)的工作間隙(63)；所述電源(5)通過(guò)導(dǎo)線與所述主控線圈(12)和所述輔助線圈(35)相連，所述主控線圈(12)與所述輔助線圈(35)可以獨(dú)立控制磁場(chǎng)強(qiáng)度。