[發(fā)明專利]一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510425542.8
• 申請日: 2015-07-20
• 公開（公告）號: CN104993060B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖良生;王照奎;李萌
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H01L51/46
• 分類號: H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200
• 代理人: 曹毅

1.一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的制備方法中鈣鈦礦前驅(qū)體中加入氯化銦，通過旋涂、噴墨打印或者卷對卷的方法取得薄膜，在室溫下直接形成結(jié)晶的鈣鈦礦晶體，再采用無退火的處理方法得到電子傳輸層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括以下步驟：

（1）將碘化甲銨和氯化鉛以及氯化銦按摩爾比3:1:0.25-0.35溶于N,N-二甲基甲酰胺溶液中，攪拌2-8小時，獲得30wt%的鈣鈦礦DMF溶液；

（2）將聚3,4-乙撐二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸鹽溶液采用旋涂、噴墨打印或者卷對卷方法加工在基底透明電極上，形成均勻的空穴傳輸層薄膜；

（3）將空穴傳輸層薄膜在95-105℃，于空氣中退火10-40min，形成固化的空穴傳輸層；

（4）在聚3,4-乙撐二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸鹽薄膜上采用旋涂、噴墨打印或者卷對卷的方法加工鈣鈦礦層薄膜，無需退火處理即可得到均勻固化的感光層；

（5）在鈣鈦礦薄膜之上可以繼續(xù)采用旋涂、噴墨打印或者卷對卷的方法加工處理[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）薄膜，同樣無需退火處理即可得到均勻的電子傳輸層；

（6）在電子傳輸層上采用蒸鍍或者噴墨打印方法加工陰極電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的步驟（1）中碘化甲銨和氯化鉛以及氯化銦摩爾比為3:1:0.3。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的步驟（3）中將薄膜在100℃，于空氣中退火20min。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的步驟（1）中攪拌時間為5h。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的制備方法中基底為柔性基底、ITO玻璃、AZO玻璃或FTO玻璃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的一種無退火的鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法制備得到的鈣鈦礦型太陽能電池。