[發明專利]有機電致發光顯示面板及制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201510425528.8 | 申請日: | 2015-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN105097878B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 許顯斌 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示 面板 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種有機電致發光顯示面板,包括對盒設置的陣列基板和彩膜基板;和設置在所述陣列基板靠近所述彩膜基板的一側的有機發光單元,所述陣列基板用于控制所述有機發光單元進行發光;
所述陣列基板和所述彩膜基板形成呈矩陣排列的像素單元;所述像素單元包括多個子像素;其特征在于,當所述有機發光單元發出的光的顏色和所述子像素的顏色不一致,且所述有機發光單元發出的光的波長小于所述子像素的顏色的波長時,還包括設置在所述彩膜基板上靠近所述陣列基板側的能夠產生尺度效應的量子材料層;
所述量子材料層能將從所述有機發光單元入射的光部分轉化為與相應的所述子像素的顏色一致的光。
2.如權利要求1所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,所述子像素包括基色光子像素或者白光子像素;所述基色光子像素包括紅色子像素、藍色子像素、綠色子像素或者黃色子像素。
3.如權利要求2所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,所述有機發光單元包括白光光源或者藍光光源。
4.如權利要求3所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,所述有機發光單元為白光光源;
所述彩膜基板包括分別與所述基色光子像素對應的子像素彩膜層;
所述量子材料層包括分別與所述紅色子像素、綠色子像素或者黃色子像素對應的子像素量子材料層。
5.如權利要求3所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,
所述有機發光單元為藍光光源;
所述彩膜基板包括分別與所述紅色子像素、綠色子像素或者黃色子像素對應的子像素彩膜層;
所述量子材料層包括分別與所述紅色子像素、綠色子像素、黃色子像素或者白色子像素對應的子像素量子材料層。
6.如權利要求1所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,
所述量子材料層包括量子點、量子棒或者量子板。
7.如權利要求6所述的有機電致發光顯示面板,其特征在于,
所述量子點、量子棒或者量子板包括內核材料、配體和外殼材料,其中,內核材料包括CdS、CdSe、CdTe、PbSe、CuInS、InP或者碳納米材料。
8.一種如權利要求1-7任一所述有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
制備陣列基板;
在所述陣列基板上制備有機發光層;
制備彩膜基板;
在所述彩膜基板上制備量子材料層;
將具有有機發光層的陣列基板和具有量子材料層的彩膜基板進行對盒。
9.如權利要求8所述的有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述在所述彩膜基板上制備量子材料層中,
將量子材料與負性光刻膠混合,并通過光刻工藝圖形化;
或者,噴墨打印法形成所述量子材料層。
10.一種如權利要求1-7任一所述有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
制備陣列基板;
在所述陣列基板上制備有機發光層;
在有機發光層上制備量子材料層;
制備彩膜基板;
將具有有機發光層和量子材料層的陣列基板和彩膜基板進行對盒。
11.如權利要求10所述的有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述在有機發光層上制備量子材料層中,
將量子材料與負性光刻膠混合,并通過光刻工藝圖形化;
或者,噴墨打印法形成所述量子材料層。
12.一種如權利要求1-7任一所述有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
制備陣列基板;
在所述陣列基板上制備有機發光層;
在有機發光層上制備量子材料層;
在量子材料層上制備彩膜層。
13.如權利要求12所述的有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述在所述陣列基板上制備有機發光層中,
采用蒸鍍法或噴墨打印法制備所述有機發光層。
14.如權利要求12所述的有機電致發光顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述在有機發光層上制備量子材料層中,將量子材料與負性光刻膠混合,并通過光刻工藝圖形化,
或者,噴墨打印法形成量子材料層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





