[發明專利]自組裝聚合物-III在審
| 申請號: | 201510423981.5 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105131214A | 公開(公告)日: | 2015-12-09 |
| 發明(設計)人: | 卡萊德·阿卜戴爾-哈吉姆·阿穆爾 | 申請(專利權)人: | 帕爾公司 |
| 主分類號: | C08F293/00 | 分類號: | C08F293/00;C08F234/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 汪宇偉 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組裝 聚合物 iii | ||
發明背景
聚合物,尤其是嵌段共聚物,其自組裝成納米結構,已被建議應用于多種應用,包括過濾膜、滲透汽化膜、平版印刷、固態聚合物電解質、離子交換膜和生物材料。例如,當溶于選定溶劑時,二嵌段共聚物自組裝成球形或圓柱體膠束、囊泡和其它結構。然而,在獲得結構規整的納米結構方面仍然存在挑戰。前述表明,對于在合適的加工條件下自組裝以提供結構規整的納米結構的嵌段共聚物,仍然存在未滿足的需求。
發明簡介
本發明提供了一種式(I)或(II)的嵌段共聚物:
其中:
R1是C1-C22烷基,可選地被選自鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代,或者C3-C11環烷基,可選地被選自烷基、鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;
R2是C6-C20芳基或雜芳基,可選地被選自羥基、硝基、氨基、鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;
R3和R4之一是C6-C14芳基,可選地被選自羥基、鹵素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一個是C1-C22烷氧基,可選地被選自羧基、氨基、巰基、炔基、烯基、鹵素、疊氮基以及雜環基的取代基所取代;
n和m獨立地是2至約2000;0<x≤n以及0<y≤m。
本發明還提供了一種制備式(I)或(II)的嵌段共聚物的方法以及由所述嵌段共聚物制備的多孔膜。
附圖的若干視圖的簡要說明
圖1描述了根據本發明一個實施方式的均聚物1(二嵌段共聚物的前體)和二嵌段共聚物前體2和二嵌段共聚物3的多角度激光散射(MALS)凝膠滲透色譜(GPC)疊加軌跡。
圖2闡釋了根據本發明一個實施方式包含二嵌段共聚物的膜。
圖3A描述了根據本發明一個實施方式制備的膜的表面的原子力顯微鏡(AFM)相圖。圖3B描述了圖3A所描述的膜的低倍放大圖像。圖3C描述了由圖3B提取的線剖面。
發明詳述
在一個實施方式中,本發明提供了一種式(I)或(II)的二嵌段共聚物:
其中:
R1是C1-C22烷基,可選地被選自鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代,或者C3-C11環烷基,可選地被選自烷基、鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;
R2是C6-C20芳基或雜芳基,可選地被選自羥基、硝基、氨基、鹵素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;
R3和R4之一是C6-C14芳基,可選地被選自羥基、鹵素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一個是C1-C22烷氧基,可選地被選自羧基、氨基、巰基、炔基、烯基、鹵素、疊氮基以及雜環基的取代基所取代;
n和m獨立地是2至約2000;0<x≤n以及0<y≤m。
在式(II)中,虛鍵表示部分氫化。優選,x是0.1至n以及y是0.1至m。當x=n時,對應的嵌段是完全氫化的。類似地,y=m時,對應的嵌段是完全氫化的。根據實施方式,x/n和y/m獨立地是0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1。
根據一個實施方式,本發明提供式(Ia)的二嵌段共聚物,其中單體是外型異構體:
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