[發明專利]一種高溫CVD設備

有效

• 申請號: 201510419538.0
• 申請日: 2015-07-17
• 公開（公告）號: CN106702345B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 鞠濤;張立國;李哲;范亞明;張澤洪;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種高溫CVD設備，包括：設有內層側壁與外層側壁的雙層側壁，以及分別設置在所述雙層側壁兩端的蓋體，其特征在于，所述雙層側壁周向設有基準法蘭，所述基準法蘭沿所述雙層側壁軸向固定限位至少一端的蓋體；所述蓋體包括頂蓋、上法蘭和下法蘭，且所述頂蓋、上法蘭、下法蘭和基準法蘭逐層壓疊，所述上法蘭和所述下法蘭之間間隙可調整連接，或/和所述下法蘭和所述基準法蘭之間間隙可調整連接；

所述上法蘭設有第一膠圈槽，所述下法蘭設有朝向所述上法蘭的第一凸部，所述內層側壁的端部以及其外周設有的膠圈共同設置在所述第一膠圈槽內，所述第一凸部沿所述雙層側壁軸向壓入所述第一膠圈槽并擠壓所述膠圈；

所述基準法蘭設有第二膠圈槽，所述下法蘭設有朝向所述基準法蘭的第二凸部，所述外層側壁的端部以及其外周設有的膠圈共同設置在所述第二膠圈槽內，所述第二凸部沿雙層側壁軸向壓入所述第二膠圈槽并擠壓所述膠圈。

2.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述基準法蘭固定在所述CVD設備外部的支撐架上。

3.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述內層側壁和所述外層側壁之間設有間隙，所述內層側壁兩端均伸出與外層側壁的端部錯開設置。

4.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述上法蘭和下法蘭分別通過膠條密封的抵在內層側壁端部和外層側壁端部。

5.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述雙層側壁兩端均設有的基準法蘭均通過同一支撐架固定，所述支撐架限定兩所述基準法蘭沿所述雙層側壁軸向的間距。

6.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述上法蘭下端面和所述下法蘭上端面之間相接觸的面上設有調整凸紋，或/和所述下法蘭下端面和所述基準法蘭上端面之間相接觸的面上設有調整凸紋。

7.根據權利要求1所述的高溫CVD設備，其特征在于：所述上法蘭下端面和所述下法蘭上端面之間墊有若干層調整墊片，或/和所述下法蘭下端面和所述基準法蘭上端面之間墊有若干層調整墊片。