[發(fā)明專利]一種采用斷面切割腐蝕技術(shù)檢測硅晶片體內(nèi)微缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510417761.1
• 申請日: 2015-07-16
• 公開（公告）號: CN104966683B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟娟峰;史舸;田獻立
• 申請（專利權(quán)）人: 麥斯克電子材料有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 洛陽明律專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41118
• 代理人: 盧洪方

1.一種采用斷面切割腐蝕技術(shù)檢測硅晶片體內(nèi)微缺陷的方法，其特征是：所述的硅晶片體內(nèi)微缺陷和斷面檢測方法的步驟如下：

步驟1：

將潔凈的硅晶片以一定間距擺放在石英舟上，操作氧化爐或擴散爐以10±2度/分的速度升溫至800度，恒定；這時將石英舟以大約200mm/min的速度送入氧化爐或擴散爐中開始進行高溫?zé)嵫趸邷責(zé)嵫趸に嚋囟葹?150度，升溫速率為5度/分，氧化時間為100分鐘；

步驟2：

在高溫氧化過程中通入流量為3±0.5L/min的高純氧氣和18兆純水水蒸汽，氧化時間結(jié)束后，控制氧化爐或擴散爐以3度/分的速率緩慢降溫至800度；

步驟3：

以200mm/min的速度將經(jīng)高溫氧化后的硅晶片緩緩從氧化爐或擴散爐中拉出，并在潔凈層流環(huán)境下讓硅晶片自然冷卻至室溫；

步驟4：

按照步驟1至步驟3的過程方法，對硅晶片重復(fù)進行三次高溫?zé)嵫趸幚恚?/p>

步驟5：

把經(jīng)高溫?zé)嵫趸幚砗蟮墓杈椒旁跐崈舻乃姆桨迳希_定需觀察硅晶片表面位置，采用金鋼石筆沿直徑方向?qū)⒐杈懈畛蓪挾瘸叽鐬?.5~2.0cm的硅晶片長條（1）；

步驟6：

把硅晶片長條（1）放置于四氟花欄中，用純水沖洗硅晶片長條（1）上的殘留硅粉，然后用鉻酸腐蝕溶液對硅晶片長條（1）的切割斷面（3）腐蝕3分鐘，用純水沖洗干凈并用高純氮氣槍吹干；

步驟7：進行斷面檢測，用雙面膠將硅晶片長條（1）的背面粘接在四氟墊塊（2）上，硅晶片長條（1）的斷面（3）要高出四氟墊塊（2），用光學(xué)顯微鏡在200倍下觀察硅晶片長條（1）上斷面（3）形貌，并采用連續(xù)掃描法計數(shù)微觀狀態(tài)下斷面（3）的缺陷密度。