[發明專利]一種從低品位銻礦中制取銻摻雜二氧化錫納米導電粉的方法無效
| 申請號: | 201510416906.6 | 申請日: | 2015-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN105000593A | 公開(公告)日: | 2015-10-28 |
| 發明(設計)人: | 呂耀輝;張偉;冉松林;檀杰 | 申請(專利權)人: | 安徽工業大學 |
| 主分類號: | C01G19/02 | 分類號: | C01G19/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人: | 蔣海軍 |
| 地址: | 243002 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 品位 銻礦 制取 摻雜 氧化 納米 導電 方法 | ||
1.一種從低品位銻礦中制取銻摻雜二氧化錫納米導電粉的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)銻礦的浸出:取一定量的硫化銻礦,用氯化銻和鹽酸溶液作為浸出劑進行浸出,浸出時間為1-3小時,浸出溫度控制在60-90℃,經過濾后獲得三氯化銻溶液;
所述浸出劑與銻的重量比為1.8-2.5:1,所述浸出劑中氯化銻與鹽酸的摩爾比為2-5:1,所述氯化銻的濃度為3-8mol/L;
(2)ATO導電粉的制備:
(a)將步驟(1)制備的三氯化銻溶液與四氯化錫溶液以Sb3+:Sn4+的摩爾比為0.02-0.20:1混合均勻,制得透明液體;
(b)將步驟(a)所得到的透明液體逐滴滴加到濃度為1-3mol/L碳酸氫銨溶液中并磁力攪拌,滴加速度為2-4ml/min,體系的反應溫度為50-80℃,控制反應終點的pH在6-7之間,滴定完畢后,停止攪拌,熟化8-12h,得到前驅體懸濁液;
(c)將步驟(b)所得的前驅體懸浮液抽濾,用去離子水洗滌直至用硝酸銀溶液檢測濾液中沒有氯離子,然后將得到的前驅體冷凍干燥6-10h,研磨;將粉體置于馬弗爐中600-1200℃煅燒2-6h,即可得到藍色摻銻二氧化錫粉體。
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