[發(fā)明專利]具有自對準外延源和漏的多柵半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510416064.4
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN104992979B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A.卡佩拉尼;T.加尼;K-Y.沈;A.S.墨菲;H.戈麥斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/265;H01L21/3065;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 付曼

1.一種多柵晶體管，包括：

柵疊層，所述柵疊層包括柵電介質(zhì)以及布置在從半導(dǎo)體襯底延伸的半導(dǎo)體翼片的溝道區(qū)之上的柵電極，所述溝道區(qū)具有柵耦合溝道側(cè)壁高度H_si；

布置在所述襯底上的再生長源/漏半導(dǎo)體翼片，所述再生長源/漏半導(dǎo)體翼片包括與所述溝道區(qū)相鄰的源/漏擴展區(qū)，其中所述源/漏擴展區(qū)和所述溝道區(qū)沿等于側(cè)壁高度H_si的高度形成界面，其中所述源/漏擴展區(qū)沿垂直于晶體管溝道寬度W_si的維底切所述柵疊層跨H_si基本上恒定的量，并且其中所述源/漏擴展區(qū)在接近所述溝道區(qū)處具有基本上等于側(cè)壁高度H_si的深度，并且在遠離所述溝道區(qū)處具有大于H_si的深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵晶體管，其中，所述源/漏擴展區(qū)底切所述柵疊層，沿垂直于晶體管溝道寬度W_si的維具有底切長度X_UC，所述晶體管溝道寬度W_si跨側(cè)壁高度H_si是恒定的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多柵晶體管，其中，所述源/漏擴展區(qū)比H_si更深地底切所述柵疊層，底切長度小于所述底切長度X_UC。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵晶體管，其中，沿著平行于晶體管溝道寬度W_si的維的再生長源/漏翼片寬度大于所述溝道寬度W_si。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多柵晶體管，其中，當形成所述再生長源/漏翼片時，到再生長源/漏厚度為二分之一側(cè)壁高度H_si時，所述再生長源/漏翼片達到比所述溝道寬度W_si要大的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵晶體管，其中，所述柵疊層的橫向相對側(cè)與電介質(zhì)隔離物相鄰，并且其中，層間電介質(zhì)ILD與所述電介質(zhì)隔離物的外側(cè)壁以及與位于所述側(cè)壁高度H_si以內(nèi)的再生長源/漏翼片的側(cè)壁部分都接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵晶體管，其中，所述柵疊層包括高k柵電介質(zhì)層和金屬柵電極，其中，再生長源/漏翼片區(qū)包括碳和磷摻雜硅或者硼摻雜硅鍺以使所述溝道區(qū)應(yīng)變。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多柵晶體管，其中，所述源/漏擴展區(qū)在所述高k柵電介質(zhì)層下方，并且所述源/漏擴展區(qū)與所述高k柵電介質(zhì)層之間的距離大于零。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵晶體管，其中，再生長源/漏翼片區(qū)沿平行于晶體管溝道寬度W_si的維外延生長，使得所述再生長源/漏翼片區(qū)的最大寬度大于溝道寬度W_si，所述再生長源/漏翼片區(qū)沿用所述襯底的結(jié)晶度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多柵晶體管，其中，再生長源/漏翼片的寬度在側(cè)壁高度H_si的二分之一處大于溝道寬度W_si。