[發明專利]存儲器件

有效

• 申請號: 201510415619.3
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN105719683B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 樸文必
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/22
• 分類號: G11C7/22;G11C8/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

一種存儲器件，包括：存儲體，包括多個字線；以及字線控制器，在激活操作期間，所述字線控制器能夠當激活多個字線之中的與輸入地址相對應的第二字線時激活多個字線之中的在之前的寫入操作期間被訪問的第一字線。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年12月19日提交的申請號為10-2014-0184129的韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及一種存儲器件。

背景技術

當從外部源(例如系統或其控制器)請求讀取和寫入數據時，存儲器件執行讀取和寫入操作。儲存數據的基本單元是存儲單元。在存儲器件中，一個存儲單元包括一個儲存1比特數據的電容器。在寫入操作中，通過對電容充電和放電來將數據儲存在存儲單元中。在讀取操作中，儲存在存儲單元中的數據的極性(例如“0”或“1”)由儲存在電容中的電荷量來確定。

“寫入恢復時間(tWR)”是存儲器件常用的性能度量。寫入恢復時間是從寫入操作被執行以及數據被儲存在存儲器件的存儲單元中的時刻到儲存的數據不再被影響(即使是預充電操作)的時刻的時間段。即，寫入恢復時間(tWR)是從給定寫入命令時開始正確地將數據儲存在存儲器件的存儲單元中所必需的最少的時間。

寫入恢復時間對寫入操作速度有影響。即，隨著寫入恢復時間變得更長，存儲器件的寫入操作速度可以變慢，而隨著寫入恢復時間減短，存儲器件的寫入操作速度可以增加。因此，在高速性能與保證充足的寫入恢復時間以穩定寫入操作之間經常存在折衷。對于高速地操作半導體存儲器件且同時阻止由于寫入恢復時間的缺少而引起的錯誤的出現的方法已經作了各種研究。

發明內容

各種實施例針對提供一種存儲器件，所述存儲器件能夠通過在其中另一個字線被激活的時段中將在之前的寫入操作期間已經被訪問的字線激活并預充電來減少由于寫入恢復時間的缺少而引起的錯誤。

而且，各種實施例針對提供一種存儲器件，所述存儲器件能夠通過激活一個存儲體中兩個或更多的字線來有效地操作其存儲體。

在一個實施例中，存儲器件包括：存儲體，包括多個字線；以及字線控制器，在激活操作期間，所述字線控制器能夠當激活多個字線之中的與輸入地址相對應的第二字線時激活多個字線之中的在之前的寫入操作期間被訪問的第一字線。

在一個實施例中，存儲器件包括：第一存儲體，包括第一存儲塊和第二存儲塊，所述第一存儲塊和第二存儲塊包括多個字線；第二存儲體，包括第三存儲塊和第四存儲塊，所述第三存儲塊和第四存儲塊包括多個字線；體選擇單元，能夠選擇第一存儲體和第二存儲體的對應于體地址的一個存儲體；第一字線控制器，在激活操作期間，當第一存儲體被選中時，所述第一字線控制器能夠當激活第一存儲體中的多個字線之中的與輸入地址相對應的第二字線時激活第一存儲體中的多個字線之中的在之前的寫入操作期間被訪問的第一字線；以及第二字線控制器，在激活操作期間，當第二存儲體被選中時，所述第二字線控制器能夠當激活第二存儲體中的多個字線之中與輸入地址相對應的第四字線時激活第二存儲體中的多個字線之中在之前的寫入操作期間第二存儲體中被訪問的第三字線。

在一個實施例中，存儲器件包括：存儲體，包括多個存儲塊，所述存儲塊包括多個字線；體選擇單元，能夠選擇多個存儲體中的與體地址相對應的存儲體；以及多個字線控制器，在激活操作期間，當多個存儲體中的對應的存儲體被選中時，所述多個字線控制器能夠當激活對應的存儲體中的多個字線之中的與輸入地址相對應的第二字線時激活多個字線之中的在之前的寫入操作期間被訪問的第一字線。

附圖說明

圖1是示出根據本發明的一個實施例的存儲器件的配置的框圖；

圖2A和2B是解釋圖1中示出的存儲器件的操作的視圖；

圖3是圖示出根據本發明的一個實施例的存儲器件的配置的框圖；