[發(fā)明專利]背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法及其封裝結構

在審

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• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN105118841A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發(fā)明（設計）人: 靖向萌;馮光建
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;涂三民

1.一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是該方法包括以下步驟：

a、在CIS晶圓（1）的正面打出焊柱孔，用電鍍的方式在焊柱孔內沉積出焊柱（2），焊柱（2）與CIS晶圓（1）內的引線（11）導通，再在焊柱（2）的柱頂沉積出導電層（3）；

b、在CIS晶圓（1）的正面通過臨時鍵合膠（4）鍵合負載晶圓（5），以負載晶圓（5）為支撐，減薄CIS晶圓（1）的背面，再在CIS晶圓（1）的背面對應圖像傳感器（10）位置添加濾光鏡（6）和微透鏡（7）；

c、在CIS晶圓（1）的背面涂上透光膠（8），在透光膠（8）的背面鍵合透光封蓋（9）；

d、以透光封蓋（9）為支撐，去除負載晶圓（5）和臨時鍵合膠（4），清洗CIS晶圓（1）上殘留的臨時鍵合膠（4），清洗后，以透光封蓋（9）為支撐進行切割。

2.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述導電層（3）的材質為金、銅、鎳、錫或其合金，導電層（3）的厚度為0.1~10μm。

3.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述臨時鍵合膠（4）為熱固環(huán)氧樹脂或者UV環(huán)氧樹脂，臨時鍵合膠（4）的厚度為10nm~200μm，且臨時鍵合膠（4）的上膠方式為噴涂方式、掛膠方式、滾膠方式或者直接貼膜方式。

4.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：步驟b中，在CIS晶圓（1）的正面通過臨時鍵合膠（4）鍵合負載晶圓（5）的鍵合方式是熱壓鍵合或者激光輻射方式鍵合。

5.如權利要求5所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述激光為紫外波段激光、紅外波段激光或者可見光波段激光。

6.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述負載晶圓（5）的材質是硅晶圓、有機玻璃、無機玻璃、樹脂、半導體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機塑料、無機氧化物或者陶瓷材料，負載晶圓（5）的厚度為200~600μm。

7.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述透光膠（8）為環(huán)氧樹脂、有機硅膠、酸性玻璃膠或者酚醛樹脂，透光膠（8）的厚度為50~100μm，且透光膠（8）的上膠方式為噴涂方式、掛膠方式、滾膠方式或者直接貼膜方式。

8.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：所述透光封蓋（9）的材質為有機玻璃、無機玻璃、陶瓷、塑料或者有機薄膜，透光封蓋（9）的厚度為100~500μm。

9.如權利要求1所述的一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征是：步驟c中，在透光膠（8）的背面鍵合透光封蓋（9）的鍵合方式是熱壓鍵合或者輻射方式鍵合。

10.一種背照式圖像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征是：它包括CIS晶圓（1）、焊柱（2）、導電層（3）、臨時鍵合膠（4）、負載晶圓（5）、濾光鏡（6）、微透鏡（7）、透光膠（8）、透光封蓋（9）、圖像傳感器（10）與引線（11）；在CIS晶圓（1）的正面通過臨時鍵合膠（4）連接有負載晶圓（5），在CIS晶圓（1）的背面連接有透光膠（8），在透光膠（8）的背面連接有透光封蓋（9），在CIS晶圓（1）內設有焊柱（2）、導電層（3）、濾光鏡（6）、圖像傳感器（10）與引線（11），在圖像傳感器（10）的背面設有濾光鏡（6），在濾光鏡（6）的背面設有微透鏡（7），微透鏡（7）嵌入透光膠（8）內，圖像傳感器（10）的正面與引線（11）的下端部相連，引線（11）的上端部與焊柱（2）的下端部相連，焊柱（2）的上端面與導電層（3）的背面相連，導電層（3）的正面與CIS晶圓（1）的正面平齊。