[發明專利]剝離方法有效
| 申請號: | 201510412447.4 | 申請日: | 2015-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN105261584B | 公開(公告)日: | 2019-11-29 |
| 發明(設計)人: | 小柳將 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 李輝;金玲<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝離 方法 | ||
1.一種剝離方法,將光器件晶片的光器件層移轉至移設基板,其中,該光器件晶片在外延基板的正面隔著由含有Ga的Ga化合物構成的緩沖層形成有光器件層,該剝離方法包括:
移設基板接合工序,在光器件晶片的光器件層的正面隔著接合金屬層接合移設基板;
剝離層形成工序,從接合有該移設基板的光器件晶片的外延基板的背面側,照射對外延基板具有透過性而對緩沖層具有吸收性的波長的脈沖激光光線,在外延基板與緩沖層之間的邊界面形成剝離層;以及
光器件層移設工序,在實施了該剝離層形成工序后,使振蕩出超聲波振動的超聲波振動角接觸該外延基板而使該外延基板進行振動,從該移設基板剝離該外延基板,將光器件層移設至移設基板,其中,在所述光器件層移設工序中,使所述超聲波振動角接觸所述外延基板的外周部,
其中,所述外延基板的所述外周部包括由于翹曲導致的朝上彎曲的面,并且
其中,所述超聲波振動角包括由朝下突出的曲面構成的接觸面,所述接觸面被構造和布置成用于與所述外延基板的所述外周部的所述朝上彎曲的面進行線接觸或面接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





