[發明專利]一種背接觸太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201510412201.7
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN105185849B
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 劉運宇;王栩生;邢國強
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙)32251
• 代理人: 陸金星

技術領域

本發明涉及太陽能應用技術領域，具體涉及一種背接觸太陽能電池及其制備方法，尤其涉及一種IBC太陽能電池。

背景技術

常規的化石燃料日益消耗殆盡，在現有的可持續能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于它是綠色環保產品，不會引起環境污染，而且是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發展前途的新型能源。

太陽能電池的種類繁多，其中，IBC（Interdigitated back contact，叉指背接觸)太陽能電池以其較高的轉換效率、較低的串聯電阻、簡化的互聯技術及良好的外觀等優點受到越來越多業內人士的關注，成為太陽能電池技術領域較為前沿的高效電池技術之一。

以N型IBC太陽能電池為例，如圖1所示，IBC太陽能電池的基本結構包括：N型的硅片基體100，覆蓋在硅片基體100正面的N⁺層101和減反射層102，N⁺層101位于硅片基體100與減反射層102之間；位于硅片基體100背面、間隔排列的、柵狀的N⁺第一導電指區103和P⁺第二導電指區104，第二導電指區104與硅片基體100結合形成電池的發射極；位于第一導電指區背離硅片基體100一側表面上的第一電極105，位于第二導電指區104背離硅片基體100一側表面上的第二電極106。

然而，上述結構的IBC太陽能電池存在如下問題：由于正電極和負電極的距離較近，對絲網印刷電極的精度要求非常高，實際制備過程中經常出現電極印偏、以及印刷好的金屬漿料發生偏移而導致正電極和負電極短路的情況，導致電池的穩定性較差。

因此，開發一種穩定性好、制備工藝簡單、成本較低的IBC太陽能電池，使其可以利用現有條件和設備，在基本不增加成本的基礎之上進一步提升其轉化效率，具有積極的現實意義。

發明內容

本發明目的是提供一種背接觸太陽能電池及其制備方法。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：一種背接觸太陽能電池，包括硅片基體，硅片基體背面上間隔設有N⁺第一導電區和P⁺第二導電區；N⁺第一導電區上設有第一電極，P⁺第二導電區上設有第二電極；

所述N⁺第一導電區和P⁺第二導電區之間設有隔離區；

所述隔離區的高度高于N⁺第一導電區和P⁺第二導電區。

優選的，所述第一電極和第二電極的頂面處于同一水平面上，且所述隔離區的頂面高于第一電極和第二電極的頂面。

優選的，所述N⁺第一導電區和P⁺第二導電區為凹陷區。

優選的，所述N⁺第一導電區和P⁺第二導電區為拋光面。

優選的，所述隔離區的頂面上具有絨面和鈍化層。即利用背面一起做成雙玻組件，可更多利用背面的散射光。

上述技術方案中，所述隔離區的寬度為10~200微米。優選的，所述隔離區的寬度為50~200微米。

上述技術方案中，所述隔離區的頂面高出第一電極和第二電極的頂面5~10微米。

上述技術方案中，所述隔離區為未摻雜區域。

本發明同時請求保護一種背接觸太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

（1）對硅片進行制絨；

（2）在電池背面要形成N⁺第一導電區的區域進行腐蝕，形成第一凹陷區；

（3）在第一凹陷區進行摻雜，形成N⁺第一導電區；

（4）在電池背面要形成P⁺第二導電區的區域進行腐蝕，形成第二凹陷區；

（5）在第二凹陷區進行摻雜，形成P⁺第二導電區；

（6）在電池受光面和背面分別形成鈍化層；

（7）在電池受光面和背面沉積氮化硅；

（8）在鈍化層上對應電極形成的位置設置開口；

（9）在所述開口位置形成電性相反的電極。

優選的，所述步驟（2）和步驟（4）中還包括以下步驟：對凹陷區進行拋光處理。

上述技術方案中，所述步驟（2）和步驟（4）形成凹陷區的方法可以采用腐蝕性漿料、腐蝕性溶液、激光中的一種。