[發(fā)明專利]讀取傳感器及其形成方法以及磁數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510411561.5 | 申請日： | 2015-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN105185388A | 公開（公告）日： | 2015-12-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | K·S·霍;S·桑 | 申請（專利權(quán)）人： | HGST荷蘭公司 |
| 主分類號： | G11B5/127 | 分類號： | G11B5/127;G11B5/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 讀取 傳感器 及其 形成 方法 以及 數(shù)據(jù) 存儲系統(tǒng) | ||
1.一種讀取傳感器，包括：
反鐵磁(AFM)釘扎層，配置為以預(yù)定方式釘扎位于其上的一個或多個被釘扎層的磁取向，該AFM釘扎層在元件高度方向上從面對介質(zhì)的表面凹陷至第一高度；
第一反平行被釘扎多層(AP1)，位于所述AFM釘扎層之上并延伸超過所述第一高度至所述面對介質(zhì)的表面；
第二反平行被釘扎層(AP2)，位于所述AP1之上并延伸超過所述第一高度至所述面對介質(zhì)的表面；以及
自由層，配置為響應(yīng)于存儲到磁介質(zhì)的磁信息，所述自由層在所述AP2之上位于所述面對介質(zhì)的表面處并在所述元件高度方向上從所述面對介質(zhì)的表面延伸至第二高度，
其中所述元件高度方向垂直于所述面對介質(zhì)的表面，
其中所述AP1和所述AP2不從所述面對介質(zhì)的表面凹陷，并且
其中所述AFM釘扎層、所述AP1和所述AP2在所述元件高度方向上延伸超過所述自由層在所述第二高度之外。
2.如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器，還包括：
至少一個磁屏蔽件，靠近所述自由層的一側(cè)或多側(cè)設(shè)置；以及
間隔層或阻擋層，位于所述自由層的全部范圍與所述AP2之間，
其中所述AFM釘扎層包括純的IrMn或其合金。
3.如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器，其中所述自由層、所述AP1和所述AP2在所述面對介質(zhì)的表面處在跨越磁道方向上具有在約30納米至約35納米的范圍內(nèi)的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器，其中所述第一高度大于或大致等于所述第二高度。
5.如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器，其中所述第一高度小于所述第二高度。
6.如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器，其中所述AP1包括兩個層，位于第二AP1層(AP1b)之下的第一AP1層(AP1a)。
7.如權(quán)利要求6所述的讀取傳感器，其中在所述第一高度之上的位置，所述AP1a在跨越磁道方向上延伸超過所述自由層的兩側(cè)，在每個方向上超過大約5納米以上。
8.如權(quán)利要求7所述的讀取傳感器，其中在所述第一高度之上的位置，所述AP1b在所述跨越磁道方向上延伸超過所述自由層的兩側(cè)，在每個方向上超過大約5納米以上。
9.如權(quán)利要求8所述的讀取傳感器，其中在所述第一高度之上的位置，所述AP2在所述跨越磁道方向上延伸超過所述自由層的兩側(cè)，在每個方向上超過大約5納米以上。
10.一種磁數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，包括：
至少一個磁頭，包括如權(quán)利要求1所述的讀取傳感器；
磁介質(zhì)；
驅(qū)動機構(gòu)，用于使所述磁介質(zhì)經(jīng)過所述至少一個磁頭；以及
控制器，電聯(lián)接到所述至少一個磁頭，用于控制所述至少一個磁頭的操作。
11.一種形成讀取傳感器的方法，該方法包括：
形成反鐵磁(AFM)釘扎層，該AFM釘扎層被配置為以預(yù)定方式釘扎位于其上的一個或多個被釘扎層的磁取向，該AFM釘扎層在元件高度方向上從面對介質(zhì)的表面凹陷至第一高度；
在所述APM釘扎層之上形成第一反平行被釘扎多層(AP1)，該AP1延伸超過所述第一高度至所述面對介質(zhì)的表面；
在所述AP1之上形成第二反平行被釘扎層(AP2)，該AP2延伸超過所述第一高度至所述面對介質(zhì)的表面；以及
形成自由層，該自由層被配置為響應(yīng)于存儲到磁介質(zhì)的磁信息，該自由層在所述AP2之上形成在所述面對介質(zhì)的表面處并在所述元件高度方向上從所述面對介質(zhì)的表面延伸至第二高度，
其中所述元件高度方向垂直于所述面對介質(zhì)的表面，
其中所述AP1和所述AP2不從所述面對介質(zhì)的表面凹陷，并且
其中所述AFM釘扎層、所述AP1和所述AP2在所述元件高度方向上延伸超過所述自由層在所述第二高度之外。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括：
形成靠近所述自由層的一側(cè)或多側(cè)的至少一個磁屏蔽件；以及
在所述自由層的全部范圍與所述AP2之間形成間隔層或阻擋層，
其中所述AFM釘扎層包括純的IrMn或其合金。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述自由層、所述AP1和所述AP2被形成為在所述面對介質(zhì)的表面處在跨越磁道方向上具有約30納米至約35納米的范圍內(nèi)的寬度。
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