[發(fā)明專利]選擇性通過材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510410519.1 | 申請日: | 2015-07-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104934091B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 夏修龍;郝繁華;李毅;付中華;熊亮萍;謝波;肖成健;龔宇;侯京偉;張勤英;陳平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G21H1/06 | 分類號(hào): | G21H1/06 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司51214 | 代理人: | 孫杰,曾曉波 |
| 地址: | 621999*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 選擇性 通過 材料 及其 制備 方法 | ||
1.選擇性通過材料,其特征在于:所述材料上有用于氦氣通過的通道,該通道是由材料經(jīng)中子照射產(chǎn)生氦,再通過氦氣釋放而形成的,所述材料的原料包含作為基材的金屬鈦和含10B的單質(zhì)/化合物,并通過以下步驟制備:
(a)將粉末狀金屬鈦和粉末狀10B單質(zhì)/化合物混合,通過燒結(jié)制得基體;
(b)將所得基體進(jìn)行中子照射;
(c)將中子照射后的基體進(jìn)行加熱處理以釋放中子照射產(chǎn)生的氦,而成選擇性通過材料。
2.如權(quán)利要求1所述的選擇性通過材料,其特征在于:所述含10B的化合物為硼化鈦。
3.如權(quán)利要求1所述的選擇性通過材料,其特征在于:所述步驟(a)中,燒結(jié)過程是在真空下進(jìn)行,燒結(jié)溫度大于1000℃。
4.如權(quán)利要求1所述的選擇性通過材料,其特征在于:所述步驟(c)中,加熱處理過程是在真空下進(jìn)行,加熱處理溫度為300-800℃。
5.如權(quán)利要求1所述的選擇性通過材料,其特征在于:所述金屬和10B單質(zhì)/化合物的混合物中,以10B計(jì),10B與混合物的質(zhì)量比為0.1%-5%。
6.如權(quán)利要求1所述的選擇性通過材料,其特征在于:還包括步驟(d),所述步驟(d)是將步驟(c)得到的選擇性通過材料進(jìn)行表面處理。
7.一種選擇性通過材料的制備方法,其特征在于:包含如下步驟:
(a)將粉末狀金屬鈦和粉末狀10B的單質(zhì)/硼化鈦混合,通過燒結(jié)制得基體;
(b)將所得基體進(jìn)行中子照射;
(c)將中子照射后的基體進(jìn)行加熱處理以釋放中子照射產(chǎn)生的氦,而成選擇性通過材料。
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