[發明專利]掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件及制造方法在審
| 申請號： | 201510410411.2 | 申請日： | 2015-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN105047638A | 公開（公告）日： | 2015-11-11 |
| 發明（設計）人： | 郭秋衛 | 申請（專利權）人： | 郭秋衛 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214400 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 曝光 利用 金屬 硬度 優化 管腳 封裝 制造 方法 | ||
1.掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述封裝件主要由第一金屬層(3)、中間金屬層(4)、第三金屬層(5)、芯片(6)、金屬線(7)、塑封體(8)組成；所述第一金屬層(3)、中間金屬層(4)和第三金屬層(5)依次連接形成聯合金屬層，聯合金屬層分為相互分離的左中右三段，所述芯片(6)與聯合金屬層中間段的第三金屬層(5)連接，金屬線(7)連接芯片(6)與聯合金屬層左段和右段的第三金屬層(5)，塑封體(8)包圍第一金屬層(3)、中間金屬層(4)、第三金屬層(5)、芯片(6)、金屬線(7)。
2.根據權利要求1所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述中間金屬層(4)為鎳、銅、銀及其復合金屬層。
3.根據權利要求1所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述第三金屬層(5)為銀、鈀、金、銅及其合金層的容易球焊的金屬。
4.根據權利要求1、2或者3所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述第一金屬層(3)為銅、錫、鎳或者銀與錫容易焊接的金屬，其硬度較中間金屬層(4)和第三金屬層(5)小。
5.根據權利要求1所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述第一金屬層(3)厚度為10～200UM，中間金屬層(4)厚度為2～20UM，第三金屬層(5)厚度為2～20UM。
6.根據權利要求1所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件，其特征在于，所述第一金屬層(3)厚度大于中間金屬層(4)和第三金屬層(5)的厚度。
7.一種掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件的制造方法，其特征在于，所述方法的具體步驟如下：
第一步，載板(1)制作，載板(1)為金屬或者非金屬；
第二步，腐蝕框架工藝中采取干法或者濕法形成掩膜(2)；
第三步，掩膜(2)曝光形成圖形；
第四步，在圖形間隙中電鍍第一金屬層(3)，厚度為10～200UM，大于掩膜的厚度；
第五步，在第一金屬層(3)上電鍍中間金屬層(4)，厚度為2～20UM，小于第一金屬層(3)的厚度；
第六步，在中間金屬層(4)上電鍍第三金屬層(5)，厚度為2～20UM，小于第一金屬層(3)的厚度；
第七步，去除殘余掩膜(2)后，在載板(1)上，第一金屬層(3)、中間金屬層(4)和第三金屬層(5)依次連接形成了聯合金屬層，聯合金屬層分為相互分離的左中右三段；
第八步，裝片，所述芯片(6)與聯合金屬層中間段的第三金屬層(5)連接；
第九步，打線，金屬線(7)連接芯片(6)與聯合金屬層左段和右段的第三金屬層(5)；
第十步，塑封，塑封體(8)包圍第一金屬層(3)、中間金屬層(4)、第三金屬層(5)、芯片(6)、金屬線(7)；
第十一步，去除載板(1)；
第十二步，切割整條產品形成單個單元。
8.根據權利要求7所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件的制造方法，其特征在于，所述中間金屬層(4)的材料為鎳、銅、銀及其復合金屬層。
9.根據權利要求7所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件的制造方法，其特征在于，所述第三金屬層(5)的材料為銀、鈀、金、銅及其合金層等容易球焊的金屬。
10.根據權利要求7所述的掩膜曝光下利用金屬硬度差優化管腳的封裝件的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層(3)的材料為銅、錫、鎳、銀與錫容易焊接的金屬，其硬度較中間金屬層(4)和第三金屬層(5)小，其厚度大于中間金屬層(4)和第三金屬層(5)的厚度。
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