[發明專利]一種螺旋天線耦合微橋結構及其制備方法有效
| 申請號: | 201510409891.0 | 申請日: | 2015-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN104953223B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 茍君;唐榮;王軍;蔣亞東;黎威志 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01P5/12 | 分類號: | H01P5/12 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司51230 | 代理人: | 楊保剛,徐金瓊 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 螺旋 天線 耦合 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種螺旋天線耦合微橋結構,其特征在于,包括襯底(10),設置在襯底(10)上的驅動電路(20),驅動電路(20)上設置的電路接口(21),設置在驅動電路(20)和襯底(10)上的犧牲層(30),自下而上依次設置在犧牲層(30)上的支撐層(40)、帶饋點的螺旋天線層(50)、可露出螺旋天線層(50)饋點的鈍化層(60),在螺旋天線層(50)的饋點處設置有氧化釩層(70),支撐層(40)和螺旋天線層(50)分別與電路接口(21)相連接;所述帶饋點的螺旋天線層(50)包括支撐層(40)上的傳統蚊香型螺旋天線和橋腿,橋腿連接傳統蚊香型螺旋天線和電路接口(21)。
2.根據權利要求1所述的一種螺旋天線耦合微橋結構,其特征在于:所述螺旋天線層(50)為鋁、鎢、鈦、鉑、鎳、鉻或者任何一種它們的合金,厚度為10~100nm。
3.根據權利要求1所述的一種螺旋天線耦合微橋結構,其特征在于:所述氧化釩層(70)的電阻溫度系數為–2%/K~–6%/K,厚度為30~200nm。
4.根據權利要求1所述的一種螺旋天線耦合微橋結構,其特征在于:所述氧化釩層(70)為矩形,氧化釩層(70)寬度與螺旋天線層(50)的線條寬度相同,氧化釩層(70)的面積為支撐層(40)面積的1%~20%,螺旋天線層(50)設置在整個支撐層(40)上。
5.根據權利要求1所述的一種螺旋天線耦合微橋結構,其特征在于:所述犧牲層(30)的材料為聚酰亞胺、二氧化硅、氧化的多孔硅和磷硅玻璃中的一種;所述支撐層(40)由單層薄膜或多層薄膜構成,材料為二氧化硅或者氮化硅,支撐層(40)的厚度在0.1~1μm之間;所述鈍化層(60)的材料為二氧化硅或者氮化硅,厚度在0.05~0.5μm之間。
6.根據權利要求1-5任一項所述的一種螺旋天線耦合微橋結構的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
①將驅動電路集成到襯底上,再在帶有驅動電路的襯底上制備犧牲層,犧牲層未制備在驅動電路的電路接口上;
②在犧牲層上制備支撐層,并使支撐層與驅動電路的電路接口相連接;
③在支撐層上制備螺旋天線層,并使螺旋天線層與驅動電路的電路接口相連接,圖形化螺旋天線層得到帶饋點的螺旋天線層;
④在螺旋天線層上制備鈍化層,圖形化鈍化層,得到露出螺旋天線層的饋點的鈍化層;
⑤在螺旋天線層的饋點處制備氧化釩層,并圖形化氧化釩層為矩形圖案;
⑥釋放犧牲層,形成螺旋天線耦合微橋結構,然后進行封裝形成探測單元。
7.根據權利要求6所述的一種螺旋天線耦合微橋結構的制備方法,其特征在于:所述步驟③中,圖形化螺旋天線層采用光刻與反應離子刻蝕工藝完成,反應離子刻蝕氣體為BCl3、Cl2氯基金屬刻蝕劑和N2、CH4等中性氣體,BCl3和Cl2的流量比為10:30~90:10,中性氣體的流量為0~90sccm,射頻功率為100~500W,反應室壓力為2~10Pa;螺旋天線層為金屬薄膜,螺旋天線層的線條寬度為0.5~10μm,相鄰線條的間隙寬度為0.5~15μm,螺旋天線層的饋點處間隔距離為0.5~10μm。
8.根據權利要求6所述的一種螺旋天線耦合微橋結構的制備方法,其特征在于:所述步驟④中,圖形化鈍化層采用反應離子刻蝕工藝完成,反應離子刻蝕氣體為CHF3、CF4、SF6等氟基氣體中的一種或幾種與O2的混合氣體,設置氟基氣體與O2的流量比為10:20~90:10,射頻功率為100~500W,反應室壓力為2~10Pa;刻蝕鈍化層后形成矩形通孔圖案,露出螺旋天線層的饋點,通孔圖案寬度為0.5~10μm,與螺旋天線層的線條寬度相同,長度大于螺旋天線層的饋點處間隔距離1~20μm。
9.根據權利要求6所述的一種螺旋天線耦合微橋結構的制備方法,其特征在于:所述步驟⑤中,氧化釩層采用磁控濺射法制備;濺射時控制濺射功率為100~500W,氧分壓為0.5%~10%,濺射時間為5~60min,退火溫度為200~600℃;氧化釩層的圖形化采用光刻與反應離子刻蝕工藝完成,反應離子刻蝕氣體為BCl3、Cl2氯基金屬刻蝕劑和N2、CH4等中性氣體;BCl3和Cl2的流量比為10:30~90:10,中性氣體的流量為0~90sccm,射頻功率為100~500W,反應室壓力為2~10Pa;圖形化氧化釩層為矩形圖案,覆蓋螺旋天線層的饋點,氧化釩層的寬度為0.5~10μm,與螺旋天線層的線條寬度相同,長度為1~30μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學,未經電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510409891.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種包裝密封度測試系統
- 下一篇:通信裝置、存儲介質、通信方法和信息處理裝置





