[發明專利]遮光材料和包含遮光材料的顯示裝置

有效

• 申請號: 201510405784.0
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN105219149B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 申英燮;蔡基成;金珍郁;金瑋镕;閔慧理;金玟知
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: C09D7/62
• 分類號: C09D7/62;C09D183/04;C09C1/34;C09C1/48;C09C3/10;G09F9/00;H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;武胐

本發明涉及遮光材料和包含遮光材料的顯示裝置，所述顯示裝置可包含基板上的多個像素；和在所述基板上的限定或劃分所述多個像素的遮光層，其中，所述遮光層包含多個納米顆粒，每個納米顆粒均具有芯和在所述芯外的殼，并且其中所述芯包含金屬氧化物，并且所述殼包含絕緣材料。

本申請要求于2014年6月30日遞交的韓國專利申請第10-2014-0081278號和于2014年12月17日遞交的韓國專利申請第10-2014-0181957號的優先權，并出于所有目的將它們如同完整闡述一樣并入本文中。

技術領域

本發明涉及顯示裝置及其制造方法，更具體而言涉及包含遮光材料的顯示裝置。

背景技術

最近，平板顯示器(FPD)隨著多媒體的發展而變得更加重要。隨著這一趨勢，諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)和有機電致發光顯示器(OLED)等多種類型的顯示器正在商業化。OLED具有1ms以下的高響應速度和低能耗，屬于自發光型。由于這些優越特征，OLED尤其憑借其優異的視角而成為下一代顯示裝置的關注焦點。

驅動顯示裝置的方法包括無源矩陣方法和利用薄膜晶體管的有源矩陣方法。在無源矩陣方法中，正極和負極相互交叉形成，對線進行選擇和驅動。在有源矩陣方法中，薄膜晶體管連接至各像素電極，并響應于與薄膜晶體管的柵極連接的電容器所保持的電壓而被驅動。

除了薄膜晶體管的基本特征(例如遷移率和漏泄電流)之外，與薄膜晶體管的長壽命和電氣可靠性相關的耐久性也很重要。用于顯示裝置的薄膜晶體管的有源層通常由非晶硅或多晶硅制成。非晶硅的有利之處在于膜形成過程簡單并且制造成本低，但可能不能確保電氣可靠性。另一方面，多晶硅也具有以下問題：可能由于其高溫過程和結晶的非均一性而難以在大型裝置中應用。

如果有源層由氧化物制成，則能夠在低溫下獲得高遷移率，而且因為能夠根據氧含量控制其電阻而容易獲得所需的性質。因此，氧化物作為薄膜晶體管的有源層材料最近備受關注。所使用的氧化物材料的實例為氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(InZnO)、或氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)。

包含氧化物有源層的薄膜晶體管有利地具有遮光層，以保護有源層免受外部光的影響。這是因為如果由外部光源在有源層中產生光電流，則有源層可能變得不穩定。

可將常規的遮光層配置為包括反射層。例如，常規遮光層可包括金屬層和絕緣層，或者可包括表面與氧化物有源層接觸的金屬層。常規遮光層可還包括用于吸收光的絕緣層，并且可以由例如非晶硅或碳化硅(SiC)制成。

然而，作為薄膜晶體管的有源層材料，上述材料可能不滿足耐熱性、高電阻、低反射和低透光率等特性。特別而言，非晶硅具有約30％的高反射率，包含SiNx的多層具有約14％的高反射率，黑色系碳化硅具有約11％至25％的反射率。因此，顯示裝置的可靠性可能因薄膜晶體管有源層的劣化而變差，而薄膜晶體管有源層的劣化可歸因于從LCD的背光側或OLED的外側引入有源層中的光。

發明內容

因此，本發明涉及遮光材料和包含該遮光材料的顯示裝置，其基本上消除了相關技術中的局限和缺陷所導致的一個或多個問題。

本發明的優點在于提供了具有改進的遮光特性的顯示裝置。

本發明的其他特點和優點將在后續描述中給出，并且部分地通過所述描述而變得顯而易見，或者可以通過實施本發明而習得。通過書面說明書和其權利要求書以及附圖中特別闡明的結構，將實現和獲得本發明的各種優點。

為了實現本發明具體和廣泛地描述的各種優點和目的，遮光材料例如可含有：多個納米顆粒，每個納米顆粒均具有芯和在所述芯外的殼；和粘合劑和溶劑，其中所述芯包含金屬氧化物，并且所述殼包含絕緣材料。