[發明專利]一種加固碳化光刻膠與Si基底結合的凹槽刻蝕方法

有效

• 申請號: 201510402800.0
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN105023842B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 李廷魚;李剛;胡文秀;趙清華;王娜;李朋偉;胡杰;張文棟
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/306;B81C1/00
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙)14100
• 代理人: 朱源

1.一種可加固碳化光刻膠與Si基底結合的凹槽刻蝕方法，其特征在于包括以下步驟：

(1) 選取硅片作為基底，硅片依次在二甲苯、丙酮、酒精、硫酸/雙氧水、氨水/雙氧水和鹽酸/雙氧水溶液中清洗以去除有機油、無機油，去除氧化膜和金屬離子；

(2)將清洗好的硅片烘干，然后采用LPCVD技術在硅片表面形成氮化硅薄膜；

（3）在步驟（2）中覆蓋有氮化硅薄膜的硅片上采用旋轉甩膠法均勻旋涂一層光刻膠；

（4）將步驟（3）中涂有光刻膠的硅片進行前烘，然后利用光學模版曝光，且曝光結束后，對硅片上的光刻膠進行后烘，最后顯影，在光刻膠層上得到露出氮化硅薄膜的光刻膠凹槽；

（5）對步驟（4）中光刻膠層上光刻膠凹槽內露出的氮化硅薄膜進行濕法腐蝕，在氮化硅薄膜得到露出硅片的氮化硅凹槽；

（6）對步驟（5）中形成的氮化硅凹槽內硅片使用氫氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液濕法腐蝕，在硅片上得到橫截面為半圓形的基底凹槽，且經過混合溶液對氮化硅凹槽內硅片進行濕法腐蝕后的氮化硅凹槽的槽口寬度的一半與基底凹槽半徑之比小于0.5；

（7）在上述步驟中形成的光刻膠凹槽、氮化硅凹槽和基底凹槽內填充光刻膠，得到有效加固光刻膠與Si基底結合的組合凹槽結構。